Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 106, выпуск 4, страницы 227–232
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17160081 (Mi jetpl5350) 		 
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ

Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)

Н. В. Дербенёва, А. А. Конаков, А. Е. Швецов, В. А. Бурдов

Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
PDF полного текста (473 kB) Список цитирования (8)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17160081
Аннотация: Выполнены первопринципные расчеты электронной структуры и частотной зависимости мнимой части диэлектрической функции для нанокристаллов кремния размерами 1–2 нм, поверхность которых полностью пассивирована атомами галогенов – Cl или Br. Как следует из расчетов, пассивация галогенами приводит к сильной локализации валентных электронов в приповерхностной области и, в результате, к заметному сужению ширины запрещенной зоны нанокристалла и уменьшению его поглощающей способности по сравнению со случаем водородной пассивации. Более сильно эти эффекты выражены в нанокристаллах, покрытых бромом.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 2367.2017/ПЧ
RFMEFI61614X0008
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-00683_мол_а
Работа поддержана Минобрнауки РФ (в рамках проектной части госзадания (заявка 2367.2017/ПЧ) и проектом RFMEFI61614X0008) и грантом РФФИ # 16-32-00683.
Поступила в редакцию: 16.06.2017
Исправленный вариант: 11.07.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 106, Issue 4, Pages 247–251
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017160068
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. В. Дербенёва, А. А. Конаков, А. Е. Швецов, В. А. Бурдов, “Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)”, Письма в ЖЭТФ, 106:4 (2017), 227–232; JETP Letters, 106:4 (2017), 247–251
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DerKonShv17}
\by Н.~В.~Дербенёва, А.~А.~Конаков, А.~Е.~Швецов, В.~А.~Бурдов
\paper Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 106
\issue 4
\pages 227--232
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5350}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17160081}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29811448}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 106
\issue 4
\pages 247--251
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017160068}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000413418400008}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85032228758}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5350
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i4/p227
    • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:158
    PDF полного текста:40
    Список литературы:29
    Первая страница:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024