|
Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННОЕ СОСТОЯНИЕ
Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)
Н. В. Дербенёва, А. А. Конаков, А. Е. Швецов, В. А. Бурдов Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия
Аннотация:
Выполнены первопринципные расчеты электронной структуры и частотной зависимости мнимой части диэлектрической функции для нанокристаллов кремния размерами 1–2 нм, поверхность которых полностью пассивирована атомами галогенов – Cl или Br. Как следует из расчетов, пассивация галогенами приводит к сильной локализации валентных электронов в приповерхностной области и, в результате, к заметному сужению ширины запрещенной зоны нанокристалла и уменьшению его поглощающей способности по сравнению со случаем водородной пассивации. Более сильно эти эффекты выражены в нанокристаллах, покрытых бромом.
Поступила в редакцию: 16.06.2017 Исправленный вариант: 11.07.2017
Образец цитирования:
Н. В. Дербенёва, А. А. Конаков, А. Е. Швецов, В. А. Бурдов, “Электронная структура и спектры поглощения нанокристаллов кремния с галогеновым покрытием (Br, Cl)”, Письма в ЖЭТФ, 106:4 (2017), 227–232; JETP Letters, 106:4 (2017), 247–251
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5350 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v106/i4/p227
|
|