|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
И. Е. Гобелко, А. В. Рожков, Д. Н. Дресвянкин, “Переход металл-диэлектрик и другие электронные свойства двухслойного АВ-графена на ферромагнитной подложке”, Письма в ЖЭТФ, 118:9 (2023), 689–696  ; I. E. Gobelko, A. V. Rozhkov, D. N. Dresvyankin, “Metal–insulator transition and other electronic properties of AB-stacked bilayer graphene deposited on a ferromagnetic substrate”, JETP Letters, 118:9 (2023), 676–683 |
|
2022 |
| 2. |
А. О. Сбойчаков, А. В. Рожков, А. Л. Рахманов, “Распределение заряда и волна спиновой плотности в подкрученном двухслойном графене при магическом угле подкрутки”, Письма в ЖЭТФ, 116:10 (2022), 708–715 ; A. O. Sboychakov, A. V. Rozhkov, A. L. Rakhmanov, “Charge distribution and spin textures in magic-angle twisted bilayer graphene”, JETP Letters, 116:10 (2022), 729–736 |
8
|
|
2021 |
| 3. |
Д. Н. Дресвянкин, А. В. Рожков, А. О. Сбойчаков, “Магнитно-электронная неустойчивость графена на ферромагнитной подложке”, Письма в ЖЭТФ, 114:12 (2021), 824–832 ; D. N. Dresvyankin, A. V. Rozhkov, A. O. Sboychakov, “Magnetoelectronic instability of graphene on a ferromagnetic substrate”, JETP Letters, 114:12 (2021), 763–770   |
2
|
|
2020 |
| 4. |
А. В. Рожков, А. О. Сбойчаков, Д. А. Хохлов, А. Л. Рахманов, К. И. Кугель, “Новые полуметаллические состояния в системах с волнами спиновой и зарядовой плотности (Миниобзор)”, Письма в ЖЭТФ, 112:11 (2020), 764–773  ; A. V. Rozhkov, A. O. Sboychakov, D. A. Khokhlov, A. L. Rakhmanov, K. I. Kugel, “New half-metallic states in systems with spin and charge density waves (brief review)”, JETP Letters, 112:11 (2020), 725–733 |
3
|
| 5. |
А. О. Сбойчаков, А. В. Рожков, К. И. Кугель, А. Л. Рахманов, “Фазовое расслоение в состоянии с волной спиновой плотности в подкрученном двухслойном графене при магическом угле подкрутки”, Письма в ЖЭТФ, 112:10 (2020), 693–699 ; A. O. Sboychakov, A. V. Rozhkov, K. I. Kugel, A. L. Rakhmanov, “Phase separation in a spin density wave state of twisted bilayer graphene”, JETP Letters, 112:10 (2020), 651–656 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
А. Л. Рахманов, К. И. Кугель, М. Ю. Каган, А. В. Рожков, А. О. Сбойчаков, “Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом”, Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017), 768–779 ; A. L. Rakhmanov, K. I. Kugel, M. Yu. Kagan, A. V. Rozhkov, A. O. Sboychakov, “Inhomogeneous electron states in the systems with imperfect nesting”, JETP Letters, 105:12 (2017), 806–817 |
16
|
|
1992 |
| 7. |
Е. А. Аврутин, В. И. Корольков, Н. Ю. Юрлов, А. В. Рожков, А. М. Султанов, “Динамические характеристики мощных импульсных
GaAs/AlGaAs-суперлюминесцентных светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 719–724 |
| 8. |
В. И. Корольков, А. С. Прохоренко, А. В. Рожков, A. M. Сулатанов, “Исследование стабильности переключения высоковольтных
субнаносекундных фотонно-инжекционных коммутаторов”, Письма в ЖТФ, 18:10 (1992), 26–31 |
|
1989 |
| 9. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, Д. Л. Нугманов, Н. Ю. Орлов, А. В. Рожков, “О выключении током управления фотонно-инжекционных импульсных
тиристоров на основе гетероструктуры”, ЖТФ, 59:2 (1989), 156–158 |
|
1988 |
| 10. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Расчет основных характеристик фотонно-инжекционного импульсного
тиристора на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 413–418 |
|
1987 |
| 11. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, Г. И. Цвилев, “Высоковольтные импульсные тиристоры на основе слабо легированного
арсенида галлия”, ЖТФ, 57:4 (1987), 771–777 |
| 12. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, М. Насруллоева, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, А. Халмирзаев, “Исследование Р-П- и Р-П-Р-П-структур на основе нелегированных слоев фосфида галлия”, Письма в ЖТФ, 13:20 (1987), 1270–1274 |
|
1986 |
| 13. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Об определении времени жизни неравновесных носителей заряда в слабо
легированных $p$- и $n$-областях фотонно-инжекционных транзисторов
и тиристоров”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986), 1897–1900 |
| 14. |
Б. И. Григорьев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, “Переходные процессы в высоковольтных фотонно-инжекционных
транзисторах на основе гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 677–682 |
| 15. |
Ж. И. Алфёров, В. М. Ефанов, Ю. М. Задиранов, А. Ф. Кардо-Сысоев, В. И. Корольков, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Электрически управляемые трехэлектродные высоковольтные переключатели субнаносекундного диапазона на основе многослойной
$Ga\,As-Al\,Ga\,As$ гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 12:21 (1986), 1281–1285 |
|
1985 |
| 16. |
Б. И. Григорьев, В. И. Корольков, А. В. Рожков, В. С. Юферев, “Высоковольтный фотонно-инжекционный транзистор на основе
гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 878–884 |
|
1984 |
| 17. |
В. И. Корольков, В. И. Литманович, А. В. Рожков, М. Н. Степанова, Т. С. Табаров, “Арсенидгаллиевые полевые транзисторы с управляющим $p{-}n$ переходом”, ЖТФ, 54:4 (1984), 859–862 |
| 18. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, А. В. Рожков, “Мощные импульсные транзисторы
на основе арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 10:16 (1984), 976–979 |
|
1983 |
| 19. |
С. Гайбуллаев, Б. В. Егоров, В. И. Корольков, А. В. Рожков, Е. П. Романова, В. С. Юферев, “Арсенид-галлиевые транзисторы”, ЖТФ, 53:4 (1983), 763–765 |
| 20. |
В. М. Андреев, Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, А. В. Рожков, А. А. Яковенко, “Исследование транзисторов с оптической связью”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1618–1622 |
| 21. |
Ю. М. Задиранов, В. И. Корольков, В. Г. Никитин, С. И. Пономарев, А. В. Рожков, “Импульсные тиристоры на основе гетероструктур GaAs$-$AlGaAs”, Письма в ЖТФ, 9:11 (1983), 652–655 |
|
Обратная связь: