Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2017, том 105, выпуск 12, страницы 768–779
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17120128 (Mi jetpl5302) 		 
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

МИНИОБЗОРЫ (ИТОГИ ПРОЕКТОВ РФФИ)

Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом

А. Л. Рахмановabc, К. И. Кугельad, М. Ю. Каганed, А. В. Рожковab, А. О. Сбойчаковa

a Институт теоретической и прикладной электродинамики РАН, 125412 Москва, Россия
b Московский физико-технический институт (государственный университет), 141700 Долгопрудный, Россия
c Всероссийский научно-исследовательский институт автоматики им. Н.Л. Духова, 127055 Москва, Россия
d Национальный исследовательский университет “Высшая школа экономики”, 101000 Москва, Россия
e Институт физических проблем им. П.Л. Капицы РАН, 119334 Москва, Россия
PDF полного текста (1162 kB) Список цитирования (16)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.7868/S0370274X17120128
Аннотация: Дан краткий обзор результатов теоретического исследования электронного фазового расслоения в системах с неидеальным нестингом листов поверхности Ферми. Такие системы включают в себя хром и его сплавы, сверхпроводящие желесодержащие пниктиды, двухслойный графен и ряд других материалов.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 14-02-00276_а
17-02-00135_а
17-02-00323_а
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики"
Работа выполнена при поддержке РФФИ, проекты # 14-02-00276, 17-02-00135 и 17-02-00323. М.Ю.К. благодарит за поддержку Программу фундаментальных исследований Национального исследовательского университета “Высшая школа экономики”.
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2017, Volume 105, Issue 12, Pages 806–817
DOI: https://doi.org/10.1134/S0021364017120116
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Л. Рахманов, К. И. Кугель, М. Ю. Каган, А. В. Рожков, А. О. Сбойчаков, “Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом”, Письма в ЖЭТФ, 105:12 (2017), 768–779; JETP Letters, 105:12 (2017), 806–817
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RakKugKag17}
\by А.~Л.~Рахманов, К.~И.~Кугель, М.~Ю.~Каган, А.~В.~Рожков, А.~О.~Сбойчаков
\paper Неоднородные электронные состояния в системах с неидеальным нестингом
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2017
\vol 105
\issue 12
\pages 768--779
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl5302}
\crossref{https://doi.org/10.7868/S0370274X17120128}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29359393}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2017
\vol 105
\issue 12
\pages 806--817
\crossref{https://doi.org/10.1134/S0021364017120116}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000408457400012}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85028317319}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl5302
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v105/i12/p768
    • Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:217
    PDF полного текста:45
    Список литературы:41
    Первая страница:11
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024