|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
1. |
М. А. Маркушин, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский, “Особенности распределения неоднородного электростатического поля в системе с изменяемой конфигурацией электродов устройства, формирующего высоковольтный газовый разряд”, ЖТФ, 90:12 (2020), 2047–2053 ; M. A. Markushin, V. A. Kolpakov, S. V. Krichevskiy, “Specific features of the distribution of nonuniform electrostatic field in a system with variable configuration of electrodes that generates high-voltage gas discharge”, Tech. Phys., 65:12 (2020), 1956–1962 |
1
|
2. |
В. А. Колпаков, С. В. Кричевский, “Особенности механизма диффузии в структуре алюминий–кремний при облучении ее поверхности внеэлектродной плазмой высоковольтного газового разряда”, ЖТФ, 90:1 (2020), 62–68 ; V. A. Kolpakov, S. V. Krichevskiy, “Diffusion mechanism in aluminum–silicon structures surface-irradiated by off-electrode plasma of a high-voltage gas discharge”, Tech. Phys., 65:1 (2020), 57–62 |
|
2017 |
3. |
Н. Л. Казанский, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский, В. В. Подлипнов, “Моделирование процесса резистивного динамического испарения в вакууме”, ЖТФ, 87:10 (2017), 1483–1488 ; N. L. Kazanskii, V. A. Kolpakov, S. V. Krichevskiy, V. V. Podlipnov, “Simulations of dynamic resistive evaporation in a vacuum”, Tech. Phys., 62:10 (2017), 1490–1495 |
4
|
|
2016 |
4. |
Н. А. Ивлиев, В. А. Колпаков, С. В. Кричевский, “Определение концентрации органических загрязнений на поверхности диоксида кремния методами атомно-силовой микроскопии”, Компьютерная оптика, 40:6 (2016), 837–843 |
3
|
|