|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Fraiman, Yu. M. Mikhailov, “Erratum to: Effect of Conductivity Type and Doping Level of Silicon Crystals on the Size of Formed Pore Channels during Anodic Etching in Hydrofluoric Acid Solutions”, Tech. Phys., 66:2 (2021), 367   |
|
2019 |
| 2. |
Г. Г. Зегря, В. П. Улин, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. М. Фрейман, Ю. М. Михайлов, “Влияние типа проводимости и уровня легирования кристаллов кремния на размеры каналов пор, формирующихся в них при анодном травлении в растворах плавиковой кислоты”, ЖТФ, 89:10 (2019), 1575–1584  ; G. G. Zegrya, V. P. Ulin, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. M. Freiman, Yu. M. Mikhailov, “Effect of conductivity type and doping level of silicon crystals on the size of formed pore channels during anodic etching in hydrofluoric acid solutions”, Tech. Phys., 64:10 (2019), 1492–1500 |
6
|
| 3. |
Г. Г. Савенков, А. Г. Зегря, Г. Г. Зегря, Б. В. Румянцев, А. Б. Синани, Ю. М. Михайлов, “Возможности энергонасыщенных композитов на основе нанопористого кремния (обзор и новые результаты)”, ЖТФ, 89:3 (2019), 397–403 ; G. G. Savenkov, A. G. Zegrya, G. G. Zegrya, B. V. Rumyantsev, A. B. Sinani, Yu. M. Mikhailov, “The possibilities of energy-saturated nanoporous silicon-based composites (review and new results)”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 361–367 |
9
|
| 4. |
А. Г. Зегря, В. В. Соколов, Г. Г. Зегря, Ю. В. Ганин, Ю. М. Михайлов, “Влияние уровня легирования исходных монокристаллов кремния на параметры структуры пористого кремния, полученного методом электрохимического травления”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 3–6 ; A. G. Zegrya, V. V. Sokolov, G. G. Zegrya, Yu. V. Ganin, Yu. M. Mikhailov, “The effect of the doping level of starting silicon single crystals on structural parameters of porous silicon produced by electrochemical etching”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1067–1070 |
2
|
|
2017 |
| 5. |
Г. Г. Зегря, Г. Г. Савенков, В. А. Морозов, А. Г. Зегря, Н. В. Улин, В. П. Улин, А. А. Лукин, В. А. Брагин, И. А. Оськин, Ю. М. Михайлов, “Чувствительность к импульсным электрофизическим воздействиям энергонасыщенных соединений на основе высокодисперсного кремния и нанопористого кремния”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 501–506 ; G. G. Zegrya, G. G. Savenkov, V. A. Morozov, A. G. Zegrya, N. V. Ulin, V. P. Ulin, A. A. Lukin, V. A. Bragin, I. A. Oskin, Yu. M. Mikhailov, “Sensitivity of energy-packed compounds based on superfine and nanoporous silicon to pulsed electrical treatments”, Semiconductors, 51:4 (2017), 477–482 |
6
|
|
|
|
2016 |
| 6. |
А. Ф. Андреев, А. В. Гапонов-Грехов, С. С. Герштейн, В. Е. Захаров, Л. М. Зелёный, Г. А. Месяц, Ю. М. Михайлов, В. А. Рубаков, О. В. Руденко, В. А. Садовничий, И. М. Халатников, А. Е. Шейндлин, И. А. Щербаков, “Владимир Евгеньевич Фортов (к 70-летию со дня рождения)”, УФН, 186:1 (2016), 109–110 ; A. F. Andreev, A. V. Gaponov-Grekhov, S. S. Gershtein, V. E. Zakharov, L. M. Zelenyi, G. A. Mesyats, Yu. M. Mikhailov, V. A. Rubakov, O. V. Rudenko, V. A. Sadovnichii, I. M. Khalatnikov, A. E. Sheindlin, I. A. Shcherbakov, “Vladimir Evgen'evich Fortov (on his 70th birthday)”, Phys. Usp., 59:1 (2016), 100–102  |
|
Обратная связь: