|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Ekaterina A. Chernova, Konstantin E. Gurianov, Victor A. Brotsman, Rishat G. Valeev, Olesya O. Kapitanova, Mikhail V. Berekchiian, Alexei V. Lukashin, “Comparative study of transport properties of membranes based on graphene oxide prepared by Brodie and improved Hummers’ methods”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:2 (2023), 272–278   |
|
2022 |
| 2. |
Ekaterina A. Chernova, Konstantin E. Gurianov, Mikhail V. Berekchiian, Victor A. Brotsman, Rishat G. Valeev, Olesya O. Kapitanova, Alina V. Kirianova, Alexey V. Lukashin, “Ageing of graphene oxide thin films: the dynamics of gas and water vapors permeability in time”, Наносистемы: физика, химия, математика, 13:4 (2022), 468–474 |
|
2020 |
| 3. |
Р. Г. Валеев, В. В. Сташкова, С. С. Алалыкин, “Наноструктурированные покрытия Ni на пористом оксиде алюминия: морфология, химическая структура и катодные свойства”, ЖТФ, 90:3 (2020), 494–500 ; R. G. Valeev, V. V. Stashkova, S. S. Alalykin, “Nanostructured Ni coatings on porous alumina: morphology, chemical constitution, and cathodic properties”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 473–478 |
4
|
|
2017 |
| 4. |
А. И. Чукавин, Р. Г. Валеев, А. Н. Бельтюков, “Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$, полученных в матрице пористого оксида алюминия,”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1400–1403 ; A. I. Chukavin, R. G. Valeev, A. N. Beltyukov, “X-ray photoelectron spectroscopy studies of ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$ nanostructures produced in a porous aluminum-oxide matrix”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1350–1353 |
1
|
| 5. |
Р. Г. Валеев, А. Л. Тригуб, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Cтруктурные исследования нанокомпозитов ZnS : Cu (5 ат%) в пористом Al$_{2}$O$_{3}$ различной толщины”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 216–221 ; R. G. Valeev, A. L. Trigub, A. I. Chukavin, A. N. Beltyukov, “Structural studies of ZnS:Cu (5 at %) nanocomposites in porous Al$_{2}$O$_{3}$ of different thicknesses”, Semiconductors, 51:2 (2017), 207–212 |
| 6. |
А. В. Вахрушев, А. Ю. Федотов, А. В. Северюхин, Р. Г. Валеев, “Влияние размерных параметров пор на механизмы формирования нанопленочных покрытий на подложках пористого оксида алюминия”, Вестн. ЮУрГУ. Сер. Матем. моделирование и программирование, 10:2 (2017), 83–97  |
|
2016 |
| 7. |
А. В. Вахрушев, А. Ю. Федотов, А. В. Северюхин, Р. Г. Валеев, “О структуре осаждаемых нанопленок Zn-S на подложках оксида алюминия”, ХФМ, 18:3 (2016), 349–360 |
| 8. |
Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 269–273 ; R. G. Valeev, D. I. Petukhov, A. I. Chukavin, A. N. Beltyukov, “Light-emitting nanocomposites on the basis of ZnS:Cu deposited into porous anodic Al$_2$O$_3$ matrices”, Semiconductors, 50:2 (2016), 266–270 |
3
|
| 9. |
Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Электролюминесцентные слои на основе ZnS : Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 42:3 (2016), 23–28 ; R. G. Valeev, D. I. Petukhov, A. I. Chukavin, A. N. Beltyukov, “Electroluminescent layers based on ZnS:Cu deposited into matrices of porous anodic Al$_{2}$O$_{3}$”, Tech. Phys. Lett., 42:2 (2016), 124–126 |
2
|
|
2015 |
| 10. |
А. В. Вахрушев, А. Ю. Федотов, А. В. Северюхин, Р. Г. Валеев, “Моделирование процессов осаждения нанопленок на подложку пористого оксида алюминия”, ХФМ, 17:4 (2015), 511–522 |
1
|
|
Обратная связь: