|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 269–273
(Mi phts6551)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$
Р. Г. Валеевa, Д. И. Петуховba, А. И. Чукавинa, А. Н. Бельтюковa a Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук
b Московский государственный университет имени М. В. Ломоносова, факультет наук о материалах
Аннотация:
Предложен новый нанокомпозитный материал для перспективных электролюминесцентных источников света: легированный медью сульфид цинка, осажденный методом вакуумно-термического напыления в матрицы анодного оксида алюминия. Проведено исследование структуры химических связей, что позволило определить механизмы, ответственные за появление в данных материалах УФ-фотолюминесценции и электролюминесценции в электрическом поле с амплитудой 220 В и частотой 50 Гц. Это позволит использовать предложенный нанокомпозит в электролюминесцентных источниках света, включенных в обычную электрическую сеть.
Поступила в редакцию: 19.06.2015 Принята в печать: 09.07.2015
Образец цитирования:
Р. Г. Валеев, Д. И. Петухов, А. И. Чукавин, А. Н. Бельтюков, “Светоизлучающие нанокомпозиты на основе ZnS:Cu, осажденного в матрицы пористого анодного Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 269–273; Semiconductors, 50:2 (2016), 266–270
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6551 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p269
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 25 | PDF полного текста: | 8 |
|