|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$, полученных в матрице пористого оксида алюминия,
А. И. Чукавин, Р. Г. Валеев, А. Н. Бельтюков Физико-технический институт Уральского отделения Российской Академии наук, Ижевск, Россия
Аннотация:
Наноструктуры полупроводниковых соединений ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$ ($x$ = 0, 0.1, 0.3, 0.5, 0.7, 1) были синтезированы с использованием темплатного метода, основанного на формировании наночастиц полупроводника в шаблонах пористого анодного оксида алюминия при помощи метода вакуумного термического испарения смеси порошков ZnS и ZnSe. Представлены результаты исследований элементного состава полученных наноструктур в зависимости от состава исходной смеси и параметров матрицы-подложки методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Показано, что состав наноструктур близок к составу исходных порошков и может быть задан соотношением ZnS/ZnSe в исходной смеси.
Поступила в редакцию: 12.12.2016 Принята в печать: 29.03.2017
Образец цитирования:
А. И. Чукавин, Р. Г. Валеев, А. Н. Бельтюков, “Исследования методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии наноструктур ZnS$_{x}$Se$_{1-x}$, полученных в матрице пористого оксида алюминия,”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1400–1403; Semiconductors, 51:10 (2017), 1350–1353
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6025 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i10/p1400
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 21 |
|