|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, В. В. Золотарев, Л. С. Вавилова, А. Ю. Лешко, М. Г. Растегаева, И. В. Мирошников, И. С. Шашкин, Н. А. Пихтин, Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, В. А. Симаков, “Источник мощного импульсного лазерного излучения (1060 нм) с высокой частотой следования импульсов на основе гибридной сборки линейки лазерных диодов и 2D массива оптотиристоров как высокоскоростного токового ключа”, Квантовая электроника, 53:1 (2023), 11–16  [S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, V. V. Zolotarev, L. S. Vavilova, A. Yu. Leshko, M. G. Rastegaeva, I. V. Miroshnikov, I. S. Shashkin, N. A. Pikhtin, T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, V. A. Simakov, “High power and repetition rate integral laser source (1060 nm) based on laser diode array and 2D multi-element opto-thyristor array as a high-speed current switch”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 5 (2023), S527–S534] |
1
|
|
2019 |
| 2. |
Ю. К. Бобрецова, Д. А. Веселов, А. А. Климов, Л. С. Вавилова, В. В. Шамахов, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, “AlGaAs/GaAs/InGaAs-лазеры со сверхузким волноводом”, Квантовая электроника, 49:7 (2019), 661–665  [Yu. K. Bobretsova, D. A. Veselov, A. A. Klimov, L. S. Vavilova, V. V. Shamakhov, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, “Ultranarrow-waveguide AlGaAs/GaAs/InGaAs lasers”, Quantum Electron., 49:7 (2019), 661–665   ] |
5
|
|
2016 |
| 3. |
П. В. Середин, А. В. Федюкин, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, И. С. Тарасов, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Структурные и оптические свойства GaAs(100) с тонким приповерхностным слоем, легированным хромом”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016), 869–876 ; P. V. Seredin, A. V. Fedyukin, I. N. Arsent'ev, L. S. Vavilova, I. S. Tarasov, Tatiana Prutskij, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and optical properties of GaAs(100) with a thin surface layer doped with chromium”, Semiconductors, 50:7 (2016), 853–859 |
|
2015 |
| 4. |
Д. А. Веселов, К. Р. Аюшева, И. С. Шашкин, К. В. Бахвалов, В. В. Васильева, Л. С. Вавилова, А. В. Лютецкий, Н. А. Пихтин, С. О. Слипченко, З. Н. Соколова, И. С. Тарасов, “Оптимизация параметров резонатора лазеров на основе твердых растворов AlGaInAsP/InP (λ=1470 нм)”, Квантовая электроника, 45:10 (2015), 879–883 [D. A. Veselov, K. R. Ayusheva, I. S. Shashkin, K. V. Bakhvalov, V. V. Vasil'eva, L. S. Vavilova, A. V. Lyutetskiy, N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, I. S. Tarasov, “Optimisation of cavity parameters for lasers based on AlGaInAsP/InP solid solutions (λ=1470 nm)”, Quantum Electron., 45:10 (2015), 879–883 ] |
2
|
|
1985 |
| 5. |
Ж. И. Алфёров, Л. С. Вавилова, И. Н. Арсентьев, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, “Непрерывный коротковолновый ($\lambda=0.677$ мкм) инжекционный лазер на основе $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As\,P$ РО ДГС с мощностью $10$ мВт”, Письма в ЖТФ, 11:19 (1985), 1153–1157 |
| 6. |
Ж. И. Алферов, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Э. В. Тулашвили, “Полосковые лазеры на основе РО $In\,Ga\,As\,P/Ga\,As$ ДГС ($\lambda\simeq0.87$ мкм) с тонкой активной областью”, Письма в ЖТФ, 11:4 (1985), 205–209 |
|
1984 |
| 7. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, А. В. Тикунов, Р. С. Игнаткина, “Низкопороговые видимые GaInAsP/GaAsP ДГ лазеры (${T=300}$ K, ${\lambda=0.70{-}0.66}$ мкм,
${I_{\text{пор}}\simeq1.5{-}3.2\,\text{кА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 757–758 |
| 8. |
Ж. И. Алфёров, И. Н. Арсентьев, Л. С. Вавилова, Д. З. Гарбузов, Э. В. Тулашвили, “Видимые низкопороговые импульсные и непрерывные
InGaAsP/InGaP/GaAs ДГ лазеры на область
0.73$-$0.79 мкм (${T=300}$ K, ${I_{n}=3.5{-}1.3\,\text{мА}/\text{см}^{2}}$)”, Физика и техника полупроводников, 18:1 (1984), 162–165 |
|
Обратная связь: