|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. А. Беляков, И. В. Макарцев, А. Г. Фефелов, С. В. Оболенский, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. М. Кулагина, Н. А. Малеев, “Влияние технологии двойного травления под затвор на параметры HEMT транзисторов на подложках GaAs и InP”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 890–894   |
|
2019 |
| 2. |
Н. А. Малеев, А. П. Васильев, А. Г. Кузьменков, М. А. Бобров, М. М. Кулагина, С. И. Трошков, С. Н. Малеев, В. А. Беляков, Е. В. Петрякова, Ю. П. Кудряшова, Е. Л. Фефелова, И. В. Макарцев, С. А. Блохин, Ф. А. Ахмедов, А. В. Егоров, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “InAlAs/InGaAs/InP HEMTs с композитным каналом и улучшенными пробивными характеристиками”, Письма в ЖТФ, 45:21 (2019), 29–33 ; N. A. Maleev, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, S. I. Troshkov, S. N. Maleev, V. A. Belyakov, E. V. Petryakova, Yu. P. Kudryashova, E. L. Fefelova, I. V. Makartsev, S. A. Blokhin, F. A. Akhmedov, A. V. Egorov, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “InAlAs/InGaAs/InP high-electron-mobility transistors with a composite channel and higher breakdown characteristics”, Tech. Phys. Lett., 45:11 (2019), 1092–1096 |
3
|
|
2018 |
| 3. |
A. A. Andronov, A. A. Andronov, K. V. Maremianin, V. I. Pozdnjakova, Yu. N. Nozdrin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, M. A. Ladugin, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “THz stimulated emission from simple superlattice in positive differential conductivity region”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 463 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 431–435 |
8
|
|
2017 |
| 4. |
Н. А. Малеев, В. А. Беляков, А. П. Васильев, М. А. Бобров, С. А. Блохин, М. М. Кулагина, А. Г. Кузьменков, В. Н. Неведомский, Ю. А. Гусева, С. Н. Малеев, И. В. Ладенков, Е. Л. Фефелова, А. Г. Фефелов, В. М. Устинов, “Молекулярно-пучковая эпитаксия структур InGaAs/InAlAs/ AlAs для гетеробарьерных варакторов”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1484–1488 ; N. A. Maleev, V. A. Belyakov, A. P. Vasil'ev, M. A. Bobrov, S. A. Blokhin, M. M. Kulagina, A. G. Kuz'menkov, V. N. Nevedomskiy, Yu. A. Guseva, S. N. Maleev, I. V. Ladenkov, E. L. Fefelova, A. G. Fefelov, V. M. Ustinov, “Molecular-beam epitaxy of InGaAs/InAlAs/AlAs structures for heterobarrier varactors”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1431–1434 |
4
|
|
2015 |
| 5. |
А. А. Андронов, Е. П. Додин, Д. И. Зинченко, Ю. Н. Ноздрин, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, В. А. Беляков, И. В. Ладенков, А. Г. Фефелов, “Стимулированные излучения при переходах между лестницами Ванье–Штарка в полупроводниковых сверхрешетках”, Письма в ЖЭТФ, 102:4 (2015), 235–239 ; A. A. Andronov, E. P. Dodin, D. I. Zinchenko, Yu. N. Nozdrin, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, V. A. Belyakov, I. V. Ladenkov, A. G. Fefelov, “Stimulated emission at transitions between Wannier–Stark ladders in semiconductor superlattices”, JETP Letters, 102:4 (2015), 207–211   |
17
|
|
1985 |
| 6. |
Л. Г. Аскинази, В. Е. Голант, С. Г. Гончаров, М. П. Грязневич, В. К. Гусев, В. В. Дьяченко, А. Б. Извозчиков, А. И. Кисляков, С. В. Крикунов, С. В. Лебедев, Б. М. Липин, И. П. Павлов, Г. Т. Раздобарин, В. В. Рождественский, Н. В. Сахаров, М. А. Xалилов, Ф. В. Чернышев, К. Г. Шаховец, О. Н. Шербинин, В. А. Беляков, С. Е. Бендер, Ю. А. Косцов, Р. Н. Литуновский, О. А. Миняев, Ю. Е. Наумшин, Л. Г. Уверский, “Первые эксперименты по высокочастотному нагреву плазмы на токамаке "Туман-3"”, Письма в ЖТФ, 11:5 (1985), 315–318 |
|
Обратная связь: