|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, С. С. Мирзаи, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Исследование напряжeнности внутренних электрических полей в активной области светодиодных структур на основе InGaN/GaN с разным числом квантовых ям методом спектроскопии электропропускания”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 420–425   ; A. È. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, S. S. Mirzai, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Investigation into the internal electric-field strength in the active region of InGaN/GaN-based LED structures with various numbers of quantum wells by electrotransmission spectroscopy”, Semiconductors, 54:4 (2020), 495–500 |
3
|
| 2. |
А. Э. Асланян, Л. П. Авакянц, А. В. Червяков, А. Н. Туркин, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Мармалюк, “Фотореверсивный ток в светодиодных гетероструктурах на основе InGaN/GaN c разным количеством квантовых ям”, Физика и техника полупроводников, 54:3 (2020), 292–295 ; A. E. Aslanyan, L. P. Avakyants, A. V. Chervyakov, A. N. Turkin, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Marmalyuk, “Photoreversible current in InGaN/GaN-based LED heterostructures with different numbers of QWs”, Semiconductors, 54:3 (2020), 362–365 |
1
|
|
2015 |
| 3. |
Н. А. Гамов, Е. В. Жданова, М. М. Зверев, Д. В. Перегудов, В. Б. Студенов, А. В. Мазалов, В. А. Курешов, Д. Р. Сабитов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, “Импульсный лазер с накачкой электронным пучком на основе квантово-размерной гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN”, Квантовая электроника, 45:7 (2015), 601–603 [N. A. Gamov, E. V. Zhdanova, M. M. Zverev, D. V. Peregudov, V. B. Studenov, A. V. Mazalov, V. A. Kureshov, D. R. Sabitov, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, “Pulsed electron-beam-pumped laser based on AlGaN/InGaN/GaN quantum-well heterostructure”, Quantum Electron., 45:7 (2015), 601–603   ] |
6
|
|
Обратная связь: