Научная биография: |
Родился в Гаване (Куба), окончил Липецкий ГПИ (1985). Переехал в Россию с 1992 г.
Профессор Высшего пединститута физики, Сантьяго-де-Куба, Куба, 1985-1992,
Российский ГПУ им. Герцена, Санкт-Петербург, с 1992.
Кастро Арата Рене Алехандро.
Исследование поляризационных процессов в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (ХСП) системы $As-Se$ в условиях неравновесного возбуждения : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1995. - 168 с.
Кастро Арата Рене Алехандро.
Двухэлектронные примесные центры с отрицательной корреляционной энергией в халькогенидных структурно-разупорядоченных полупроводниках : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 2006. - 300 с. : ил. |
|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. И. Попов, А. Д. Баринов, В. М. Емец, Р. А. Кастро Арта, А. В. Колобов, А. А. Кононов, А. В. Овчаров, Т. С. Чуканова, “Влияние переходных металлов на диэлектрические свойства алмазоподобных кремний-углеродных пленок”, Физика твердого тела, 63:11 (2021), 1844–1851   |
2
|
| 2. |
А. Р. Кастро-Арата, Г. И. Грабко, А. А. Кононов, Н. И. Анисимова, М. Крбал, А. В. Колобов, “Перенос заряда в тонких слоях стеклообразной гибридной системы Ge$_{28.5}$Pb$_{14.5}$Fe$_{0.5}$S$_{56.5}$”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 450–454 |
|
2020 |
| 3. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, И. О. Попова, Е. Б. Шадрин, “Фазовый переход полупроводник–суперионик в пленках сульфида серебра”, Физика твердого тела, 62:12 (2020), 2138–2146 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Kastro, M. È. Pashkevich, I. O. Popova, E. B. Shadrin, “Semiconductor–superionic phase transition in silver sulfide films”, Phys. Solid State, 62:12 (2020), 2403–2411 |
2
|
| 4. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия и механизм фазового перехода полупроводник-металл в легированных пленках VO$_{2}$:Ge и VO$_{2}$:Mg”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 331–340 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Kastro, M. È. Pashkevich, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy and mechanism of the semiconductor–metal phase transition in doped VO$_2$:Ge and VO$_2$:Mg films”, Semiconductors, 54:4 (2020), 403–411 |
1
|
| 5. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Диэлектрическая спектроскопия и особенности механизма фазового перехода полупроводник–металл в пленках VO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 153–159 ; A. V. Ilinskiy, R. A. Kastro, M. È. Pashkevich, E. B. Shadrin, “Dielectric spectroscopy and features of the mechanism of the semiconductor–metal phase transition in VO$_{2}$ films”, Semiconductors, 54:2 (2020), 205–211 |
5
|
| 6. |
А. Р. Кастро Арата, В. М. Стожаров, Д. М. Долгинцев, А. А. Кононов, Ю. Сайто, П. Фонс, Д. Томинага, Н. И. Анисимова, А. В. Колобов, “Структурное и диэлектрическое исследование тонких аморфных слоев системы Ge–Sb–Te, полученных методом высокочастотного магнетронного распыления”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 149–152 ; R. A. Castro-Arata, V. M. Stozharov, D. M. Dolginsev, A. A. Kononov, Yu. Saito, P. Fons, J. Tominaga, N. I. Anisimova, A. V. Kolobov, “Structural and dielectric study of thin amorphous layers of the Ge–Sb–Te system prepared by RF magnetron sputtering”, Semiconductors, 54:2 (2020), 201–204 |
|
2013 |
| 7. |
А. В. Ильинский, А. Р. Кастро, Л. А. Набиуллина, М. Э. Пашкевич, Е. Б. Шадрин, “Магнитооптические эффекты в нелегированных кристаллах силиката висмута”, Научно-технические ведомости СПбГПУ. Физико-математические науки, 2013, № 4-1(182), 9–20 |
|
Обратная связь: