|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Н. А. Бекин, “Многофононная релаксация состояний $1s(T_{2})$ однократно ионизованного донора селена в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 922–928   ; N. A. Bekin, “Multiphonon relaxation of $1s(T_{2})$ states of a single ionized selenium donor in silicon”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1112–1118 |
2
|
|
2019 |
| 2. |
Н. А. Бекин, “Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1378–1385 ; N. A. Bekin, “On the two-phonon relaxation of excited states of boron acceptors in diamond”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1340–1347 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
Н. А. Бекин, “Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1390–1394 ; N. A. Bekin, “Multiphonon intracenter relaxation of boron acceptor states in diamond”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1500–1504 |
1
|
|
2016 |
| 4. |
А. Н. Яблонский, Р. Х. Жукавин, Н. А. Бекин, А. В. Новиков, Д. В. Юрасов, М. В. Шалеев, “Излучательная рекомбинация и туннелирование носителей заряда в гетероструктурах SiGe/Si с двойными квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1629–1633 ; A. N. Yablonskii, R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, “On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1604–1608 |
|
2015 |
| 5. |
Н. А. Бекин, В. Н. Шастин, “Стимулированное излучение на примесно-зонных оптических переходах в полупроводниках”, Квантовая электроника, 45:2 (2015), 105–112 [N. A. Bekin, V. N. Shastin, “Stimulated emission on impurity – band optical transitions in semiconductors”, Quantum Electron., 45:2 (2015), 105–112   ] |
1
|
|
Обратная связь: