Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 11, страницы 1390–1394
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46604.38
(Mi phts5701)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 12-15 марта, 2018 г.

Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе

Н. А. Бекин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Расчеты темпов релаксации осуществлялись в адиабатическом приближении, в котором в качестве стационарных состояний примеси выступают электронно-колебательные (вибронные) состояния. Вероятности переходов между этими состояниями, сопровождаемые испусканием (или поглощением) одного или нескольких фононов, рассчитываются в первом порядке теории возмущений как возникающие в результате нарушения адиабатичности. Для описания электронной части волновой функции вибронного состояния использовался простой гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Согласно расчетам, дырка из возбужденного состояния акцептора бора, энергия которого выше энергии основного состояния на 304 мэВ, релаксирует на основное состояние с испусканием двух оптических фононов с темпом $\sim$10$^{11}$ c$^{-1}$. Данная величина является оценкой сверху, поскольку использованная в расчетах модель бездисперсных оптических фононов завышает количество фононных мод, участие которых в релаксации разрешено законом сохранения энергии. Однако несмотря на грубый характер приближения, можно сделать вывод, что многофононная релаксация состояний акцепторов бора в алмазе является быстрым процессом.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01325
18-502-12077
Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (гранты РФФИ № 17-02-01325, РФФИ-ННИО № 18-502-12077).
Поступила в редакцию: 25.04.2018
Принята в печать: 07.05.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 11, Pages 1500–1504
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618110040
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Бекин, “Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1390–1394; Semiconductors, 52:11 (2018), 1500–1504
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bek18}
\by Н.~А.~Бекин
\paper Многофононная внутрицентровая релаксация состояний акцепторов бора в алмазе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1390--1394
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5701}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.11.46604.38}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=36903620}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 11
\pages 1500--1504
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618110040}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5701
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i11/p1390
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024