|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.
Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе
Н. А. Бекин Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация:
Теоретически исследуется релаксация дырок, находящихся в возбужденных состояниях акцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Для описания волновой функции акцепторных состояний использовался электроноподобный гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Вероятность перехода вычислялась в адиабатическом приближении. Закон дисперсии фононов считался изотропным, а частота фононов квадратично зависящей от модуля волнового вектора, с максимальным значением $\omega_{\operatorname{max}}$, достигаемым в центре зоны Бриллюэна, и минимальным $\omega_{\operatorname{min}}$, на границе зоны Бриллюэна. Выявлена большая чувствительность вероятности перехода к характеристике дисперсии фононов $\omega_{\operatorname{max}}$-$\omega_{\operatorname{min}}$, особенно для энергии перехода $E_{T}$ в интервале $2\hbar\omega_{\operatorname{min}}\le E_{T}<\hbar\omega_{\operatorname{min}}+\hbar\omega_{\operatorname{max}}$. В зависимости от энергии перехода и дисперсии фононов темп двухфононной релаксации в низкотемпературном пределе варьируется от сверхнизких значений ($<$ 10$^{8}$ с$^{-1}$) вблизи порога $E_{T} = 2\hbar\omega_{\operatorname{min}}$ до сверхвысоких значений ($>$ 10$^{12}$ с$^{-1}$) в “резонансной” области $\hbar\omega_{\operatorname{min}}+\hbar\omega_{\operatorname{max}}\le E_{T}\le 2\hbar\omega_{\operatorname{max}}$.
Ключевые слова:
глубокие примеси, многофононная релаксация, алмаз, акцепторы бора в алмазе.
Поступила в редакцию: 24.04.2019 Исправленный вариант: 29.04.2019 Принята в печать: 29.04.2019
Образец цитирования:
Н. А. Бекин, “Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1378–1385; Semiconductors, 53:10 (2019), 1340–1347
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5382 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1378
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 39 | PDF полного текста: | 14 |
|