Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 10, страницы 1378–1385
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48293.39
(Mi phts5382)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

XXIII Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 11–14 марта 2019 г.

Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе

Н. А. Бекин

Институт физики микроструктур РАН, г. Нижний Новгород
Аннотация: Теоретически исследуется релаксация дырок, находящихся в возбужденных состояниях акцепторов бора в алмазе, при испускании двух оптических фононов. Для описания волновой функции акцепторных состояний использовался электроноподобный гамильтониан с изотропной эффективной массой. Волновая функция основного состояния находилась методом квантового дефекта. Вероятность перехода вычислялась в адиабатическом приближении. Закон дисперсии фононов считался изотропным, а частота фононов квадратично зависящей от модуля волнового вектора, с максимальным значением $\omega_{\operatorname{max}}$, достигаемым в центре зоны Бриллюэна, и минимальным $\omega_{\operatorname{min}}$, на границе зоны Бриллюэна. Выявлена большая чувствительность вероятности перехода к характеристике дисперсии фононов $\omega_{\operatorname{max}}$-$\omega_{\operatorname{min}}$, особенно для энергии перехода $E_{T}$ в интервале $2\hbar\omega_{\operatorname{min}}\le E_{T}<\hbar\omega_{\operatorname{min}}+\hbar\omega_{\operatorname{max}}$. В зависимости от энергии перехода и дисперсии фононов темп двухфононной релаксации в низкотемпературном пределе варьируется от сверхнизких значений ($<$ 10$^{8}$ с$^{-1}$) вблизи порога $E_{T} = 2\hbar\omega_{\operatorname{min}}$ до сверхвысоких значений ($>$ 10$^{12}$ с$^{-1}$) в “резонансной” области $\hbar\omega_{\operatorname{min}}+\hbar\omega_{\operatorname{max}}\le E_{T}\le 2\hbar\omega_{\operatorname{max}}$.
Ключевые слова: глубокие примеси, многофононная релаксация, алмаз, акцепторы бора в алмазе.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 17-02-01325-а
Работа выполнена при поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (проект № 17-02-01325-а).
Поступила в редакцию: 24.04.2019
Исправленный вариант: 29.04.2019
Принята в печать: 29.04.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 10, Pages 1340–1347
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619100051
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Бекин, “Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019), 1378–1385; Semiconductors, 53:10 (2019), 1340–1347
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Bek19}
\by Н.~А.~Бекин
\paper Двухфононная релаксация возбужденных состояний акцепторов бора в алмазе
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1378--1385
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5382}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.10.48293.39}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41174863}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 10
\pages 1340--1347
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619100051}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5382
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i10/p1378
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024