|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Д. В. Ищенко, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, В. С. Эпов, “Твердый раствор PbSnTe : In – уровни захвата, гальваномагнитные свойства и ТГц фоточувствительность”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1662–1668   ; D. V. Ishchenko, A. E. Klimov, V. N. Shumskii, V. S. Epov, “PbSnTe:In compound: Electron capture levels, galvanomagnetic properties, and THz sensitivity”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1635–1640 |
| 2. |
А. Н. Акимов, А. Э. Климов, И. Г. Неизвестный, В. Н. Шумский, В. С. Эпов, “Температурные особенности релаксации фотопроводимости в пленках PbSnTe : In при межзонном возбуждении”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 447–453 ; A. N. Akimov, A. E. Klimov, I. G. Neizvestnyi, V. N. Shumskii, V. S. Epov, “Specific temperature-related features of photoconductivity relaxation in PbSnTe:In films under interband excitation”, Semiconductors, 50:4 (2016), 440–446 |
4
|
|
2015 |
| 3. |
И. Г. Неизвестный, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, “Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра”, УФН, 185:10 (2015), 1031–1042 ; I. G. Neizvestnyi, A. E. Klimov, V. N. Shumsky, “Photon far-infrared and submillimeter array detectors”, Phys. Usp., 58:10 (2015), 952–962   |
4
|
|
2003 |
| 4. |
И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Накопление заряда в квантовых точках Ge в транзисторной структуре GaAs/ZnSe/KT–Ge/ZnSe/Ge с плавающим затвором”, Письма в ЖЭТФ, 78:12 (2003), 1289–1292 ; I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Charge accumulation in Ge quantum dots in a GaAs/ZnSe/QD-Ge/ZnSe/Ge floating gate transistor structure”, JETP Letters, 78:12 (2003), 768–771 |
| 5. |
И. Ю. Бородин, И. А. Литвинова, И. Г. Неизвестный, А. В. Прозоров, С. П. Супрун, А. Б. Талочкин, В. Н. Шерстякова, В. Н. Шумский, “Электрические и фотоэлектрические свойства структур GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al с квантовыми точками Ge”, Письма в ЖЭТФ, 78:3 (2003), 184–187 ; I. Yu. Borodin, I. A. Litvinova, I. G. Neizvestnyi, A. V. Prozorov, S. P. Suprun, A. B. Talochkin, V. N. Sherstyakova, V. N. Shumskii, “Electric and photoelectric properties of GaAs/ZnSe–Ge/ZnSe/Al structures with Ge quantum dots”, JETP Letters, 78:3 (2003), 152–155 |
1
|
|
2001 |
| 6. |
А. Б. Талочкин, С. П. Супрун, А. В. Ефанов, И. Г. Кожемяко, В. Н. Шумский, “Рамановский $E_1$, $E_1+\Delta _1$ резонанс в ненапряженных квантовых точках германия”, Письма в ЖЭТФ, 73:6 (2001), 336–340 ; A. B. Talochkin, S. P. Suprun, A. V. Efanov, I. G. Kozhemyako, V. N. Shumskii, “Raman $E$ , $E_1+\Delta_1$ resonance in unstrained germanium quantum dots”, JETP Letters, 73:6 (2001), 297–300 |
1
|
|
Обратная связь: