Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Ledentsov, Nikolai Nikolaevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 32
Scientific articles: 30

Number of views:
This page:714
Abstract pages:4147
Full texts:1310
References:196
Corresponding member of RAS
Doctor of physico-mathematical sciences (1993)
Birth date: 3.05.1959
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person53345
https://ru.wikipedia.org/wiki/Ledentsov_Nikolai_Nikolaevich
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=20458

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, N. A. Maleev, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, A. G. Kuz'menkov, E. S. Kolodeznyi, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, S. Reitzenstein, V. M. Ustinov, “The design of an electrically-driven single photon source of the 1.3-$\mu$m spectral range based on a vertical microcavity with intracavity contacts”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:5 (2021),  23–27  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:3 (2021), 222–226 1
2019
2. A. M. Nadtochiy, Yu. M. Shernyakov, M. M. Kulagina, A. S. Payusov, N. Yu. Gordeev, M. V. Maksimov, A. E. Zhukov, T. Denneulin, N. Cherkashin, V. A. Shchukin, N. N. Ledentsov, “InGaAlP/GaAs injection lasers of orangeoptical range ($\sim$600nm)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1708–1713  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1699–1704
2018
3. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  98–104  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
4. N. N. Ledentsov, V. A. Shchukin, V. P. Kalosha, N. N. Ledentsov, Jr., J. R. Kropp, M. Agustín, S. A. Blokhin, A. A. Blokhin, M. A. Bobrov, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, “A design and new functionality of antiwaveguiding vertical-cavity surface-emitting lasers for a wavelength of 850 nm”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:1 (2018),  85–94  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 36–39 2
5. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. A. Blokhin, A. P. Vasil'ev, Yu. A. Guseva, M. M. Kulagina, Yu. M. Zadiranov, N. A. Maleev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, “The influence of cavity design on the linewidth of near-ir single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:1 (2018),  67–75  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 28–31 3
6. A. V. Babichev, L. Ya. Karachinsky, I. I. Novikov, A. G. Gladyshev, S. A. Blokhin, S. Mikhailov, V. Iakovlev, A. Sirbu, G. Stepniak, L. Chorchos, J. P. Turkiewicz, K. O. Voropaev, A. S. Ionov, M. Agustín, N. N. Ledentsov, A. Yu. Egorov, “Vertical-cavity surface-emitting 1.55-$\mu$m lasers fabricated by fusion”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:1 (2018),  59–66  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 24–27 5
2017
7. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1697  mathnet; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
2011
8. N. N. Ledentsov, J. A. Lott, “New-generation vertically emitting lasers as a key factor in the computer communication era”, UFN, 181:8 (2011),  884–890  mathnet; Phys. Usp., 54:8 (2011), 853–858  isi  scopus 6
2002
9. G. A. Lyubas, N. N. Ledentsov, D. Litvinov, D. Gerthsen, I. P. Sotnikov, V. M. Ustinov, “Photoluminescence and the structure of heterointerfaces of (311)A-and (311)B-oriented GaAs/AlAs superlattices”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 75:4 (2002),  211–216  mathnet; JETP Letters, 75:4 (2002), 179–183  scopus 8
2001
10. I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, UFN, 171:8 (2001),  857–858  mathnet; Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 1
11. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, UFN, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 1
1999
12. L. E. Vorob'ev, D. A. Firsov, V. A. Shalygin, V. N. Tulupenko, N. N. Ledentsov, P. S. Kop'ev, V. M. Ustinov, Yu. M. Shernyakov, Zh. I. Alferov, “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells”, UFN, 169:4 (1999),  459–464  mathnet; Phys. Usp., 42:4 (1999), 391–396  isi 10
1997
13. D. Bimberg, I. P. Ipatova, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, V. G. Malyshkin, V. A. Shchukin, “Spontaneous ordering of semiconductor nanostructures”, UFN, 167:5 (1997),  552–555  mathnet; Phys. Usp., 40:5 (1997), 529–532 12
1996
14. N. N. Ledentsov, V. M. Ustinov, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, M. V. Maksimov, P. S. Kop'ev, D. Bimberg, Zh. I. Alferov, “Ordered quantum-dot arrays in semiconducting matrices”, UFN, 166:4 (1996),  423–428  mathnet; Phys. Usp., 39:4 (1996), 393–398  isi 18
1995
15. Zh. I. Alferov, D. Bimberg, A. Yu. Egorov, A. E. Zhukov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, S. S. Ruvimov, V. M. Ustinov, I. Kheidenraikh, “Strained-submonolayer and quantum-dot superstructures”, UFN, 165:2 (1995),  224–225  mathnet; Phys. Usp., 38:2 (1995), 215–216  isi 5
1992
16. Zh. I. Alferov, A. Y. Egorov, A. E. Zhukov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Выращивание квантовых кластеров GaAs$-$AlAs на ориентированных не по (100) фасетированных поверхностях GaAs методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:10 (1992),  1715–1722  mathnet
1991
17. A. Y. Egorov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. V. Maksimov, V. V. Mamutin, “GROWING COMPOUNDS IN THE SYSTEM OF YB-BA-CU-O WITH THE USE OF A BAO MOLECULAR-BEAM”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 61:8 (1991),  106–114  mathnet
1990
18. P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, “Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:9 (1990),  1691–1693  mathnet
19. P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, M. Y. Nadtochii, V. M. Ustinov, “Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990),  717–719  mathnet
20. Z. I. Alferov, V. V. Zhuravleva, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, V. I. Korol'kov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, T. S. Tabarov, “Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As$-$GaAs-гетероструктурах с двойным барьером”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  361–363  mathnet
21. Z. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, S. V. Shaposhnikov, “(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:2 (1990),  359–361  mathnet
22. Zh. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, M. E. Lutsenko, “(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см$^{2}$) и 0.73 мкм (350 A/см$^{2}$) с легированной квантовой ямой”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  201–203  mathnet
23. Zh. I. Alferov, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel'tser, M. I. Nemenov, V. M. Ustinov, S. V. Shaposhnikov, “Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:1 (1990),  152–158  mathnet
24. A. V. Bobyl, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, A. M. Mintairov, V. M. Ustinov, “EFFECT OF PHOTOINDUCED ELECTRON-HOLE PLASMA DECOMPOSITION IN SINGULAR SELECTIVE-ALLOYED HETEROSTRUCTURES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:20 (1990),  90–95  mathnet
1988
25. Z. I. Alferov, A. M. Vasilev, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, M. E. Lutsenko, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “REDUCTION OF THRESHOLD CURRENT-DENSITY IN GAAS-ALGAAS DHS QUANTUM-DIMENSIONAL LASERS(JN=52ACM-2,T=300-K) UNDER THE LIMITATION OF A QUANTUM HOLE BY THE SHORT-PERIOD SUPERLATTICE WITH VARIABLE-PITCH”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1803–1807  mathnet 5
1986
26. A. M. Vasil'ev, P. S. Kop'ev, V. P. Kochereshko, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, I. N. Ural'tsev, V. M. Ustinov, D. R. Yakovlev, “Intrinsic Luminescence of GaAs$-$Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As Sharp HelerojimcLiou”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:2 (1986),  353–356  mathnet
27. Zh. I. Alferov, R. O. Djaparidze, S. V. Ivanov, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Lasers based on heterostructures with active areas limited by multilayered lattices”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 12:9 (1986),  562–565  mathnet
1985
28. N. N. Ledentsov, B. Ya. Ber, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, G. M. Minchev, “EFFECT OF GROWTH-CONDITIONS ON THE HUM ADDITIONS IN GAAS ALLOYED LAYERS GROWN BY MBE METHODS”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 55:1 (1985),  142–147  mathnet
29. Zh. I. Alferov, P. S. Kopv, B. Ya. Ber, A. M. Vasil'ev, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, I. N. Ural'tsev, D. R. Yakovlev, “Intrinsic and Impurity Luminescence in GaAs$-$AlGaAs Structures with Quantum Wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:4 (1985),  715–721  mathnet
1984
30. P. S. Kop'ev, B. Ya. Ber, S. V. Ivanov, N. N. Ledentsov, B. Ya. Mel'tser, V. M. Ustinov, “Effect of Growth Conditions on the Implantation of Background Impurities into Undoped GaAs Epitaxial Layers Grown by the Method of Molecular-Beam Epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:2 (1984),  270–274  mathnet
2010
31. A. F. Andreev, A. L. Aseev, E. P. Velikhov, A. A. Gorbatsevich, Yu. V. Gulyaev, A. E. Zhukov, L. V. Keldysh, G. Ya. Krasnikov, N. N. Ledentsov, Yu. S. Osipov, R. A. Suris, V. E. Fortov, “Zhores Ivanovich Alferov (on his 80th birthday)”, UFN, 180:3 (2010),  333–334  mathnet; Phys. Usp., 53:3 (2010), 319–320  isi
2000
32. A. F. Andreev, E. P. Velikhov, V. E. Golant, Yu. V. Gulyaev, B. P. Zakharchenya, L. V. Keldysh, P. S. Kop'ev, N. N. Ledentsov, Yu. A. Osip'yan, A. M. Prokhorov, R. A. Suris, “Zhores Ivanovich Alferov (on his seventieth birthday)”, UFN, 170:3 (2000),  349–350  mathnet; Phys. Usp., 43:3 (2000), 307–308  isi 1

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024