Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Sankin, Vladimir Il'ich

Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 19
Scientific articles: 19

Number of views:
This page:145
Abstract pages:981
Full texts:538
References:81
Doctor of physico-mathematical sciences (1998)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
Website: https://prabook.com/web/vladimir_ilich.sankin/447632

https://www.mathnet.ru/eng/person71435
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=26618

Publications in Math-Net.Ru Citations
2018
1. K. Yu. Golenitskii, A. M. Monakhov, V. I. Sankin, “Simulation of a terahertz laser in the Bloch oscillation mode”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:24 (2018),  67–74  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1150–1153 1
2011
2. V. I. Sankin, A. V. Andrianov, A. O. Zahar'in, A. G. Petrov, “Terahertz radiation induced by the Wannier-Stark localization of electrons in a natural silicon carbide superlattice”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 94:5 (2011),  393–396  mathnet; JETP Letters, 94:5 (2011), 362–365  isi  scopus 10
2003
3. V. I. Sankin, P. P. Shkrebii, N. S. Savkina, N. A. Kuznetsov, “New Wannier-Stark localization effects in natural 6H-SiC superlattice”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 77:1 (2003),  38–42  mathnet; JETP Letters, 77:1 (2003), 34–38  scopus 9
1992
4. R. G. Verenchikova, Yu. A. Vodakov, D. P. Litvin, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, V. I. Sankin, “Ультрафиолетовые карбид-кремниевые фотоприемники”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:6 (1992),  1008–1014  mathnet
1991
5. V. A. Vaschenko, Yu. A. Vodakov, V. V. Gafjjchuk, B. I. Datsko, B. S. Kerner, D. P. Litvin, V. V. Osipov, A. D. Roenkov, V. I. Sankin, “Образование и эволюция нитей лавинного тока в обратносмещенных $p{-}n$-переходах на основе $6H$-SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:7 (1991),  1209–1216  mathnet
6. V. I. Sankin, A. V. Naumov, I. A. Stolichnov, “WANNIER-STARK EFFECT - NATURE OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN 4H-SILICON CARBIDE AND 6H-SILICON CARBIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:23 (1991),  38–42  mathnet
1990
7. V. I. Sankin, A. V. Naumov, “WANNIER-STARK EFFECT AND NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE IN SILICON-CARBIDE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 16:7 (1990),  91–95  mathnet
1989
8. A. V. Naumov, V. I. Sankin, “Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 23:6 (1989),  1009–1014  mathnet
9. V. I. Sankin, A. V. Naumov, A. A. Vol'fson, M. G. Ramm, L. M. Smerklo, A. V. Suvorov, “SIC(SC)-BASED INJECTION-TRANSIT STRUCTURE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:24 (1989),  43–46  mathnet
1988
10. R. G. Verenchikova, V. I. Sankin, “Влияние термического отжига на свойства барьеров Шоттки Cr-SiC $n$- и $p$-типа электропроводности”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:9 (1988),  1692–1695  mathnet
11. R. G. Verenchikova, V. I. Sankin, “SURFACE-BARRIER CR-SIC-DIODE AS THE UV-EMISSION PHOTODETECTOR”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:19 (1988),  1742–1746  mathnet
1987
12. D. P. Litvin, A. A. Mal'tsev, A. V. Naumov, A. D. Roenkov, V. I. Sankin, “$P^{+}-\pi-N^{+}$-structures based on silicon-carbide with double injection”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:20 (1987),  1247–1251  mathnet
13. B. S. Kerner, D. P. Litvin, V. I. Sankin, “Cleavage of the hot electron-hole plasma in $\alpha$$Si\,C$”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 13:13 (1987),  819–823  mathnet
1985
14. Yu. A. Vodakov, D. P. Litvin, V. I. Sankin, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, “Collision Ionization in Silicon-Carbide Polytypes”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985),  814–818  mathnet
1984
15. A. O. Konstantinov, V. N. Kuz'min, L. S. Lebedev, D. P. Litvin, A. G. Ostroumov, V. I. Sankin, V. V. Semenov, “EFFECT OF PROTON IRRADIATION ON ELECTRIC PROPERTIES OF SILICON CARBIDES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 54:8 (1984),  1622–1624  mathnet
16. V. I. Sankin, Yu. A. Vodakov, D. P. Litvin, “Исследование шума лавинного фотодиода на основе $6H$-карбида кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:12 (1984),  2146–2149  mathnet
17. Yu. A. Vodakov, D. P. Litvin, V. I. Sankin, E. N. Mokhov, A. D. Roenkov, “CHARACTERISTICS OF CASCADE BREAKDOWN IN ALPHA-CARBIDE SILICON-MATERIAL WITH NATURAL SUPER-LATTICE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 10:5 (1984),  303–306  mathnet
1983
18. R. G. Verenchikova, V. I. Sankin, E. I. Radovanova, “Влияние вакансии на формирование поверхностных барьеров политипов SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:10 (1983),  1757–1760  mathnet
19. A. P. Dmitriev, A. O. Konstantinov, D. P. Litvin, V. I. Sankin, “Ударная ионизация и сверхрешетка в $6H$-SiC”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:6 (1983),  1093–1098  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
 Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024