Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Nikitina, Irina Petrovna

Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 16
Scientific articles: 16

Number of views:
This page:91
Abstract pages:769
Full texts:334
Candidate of chemical sciences (1971)

https://www.mathnet.ru/eng/person160184
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=32244

Publications in Math-Net.Ru Citations
2020
1. E. V. Kalinina, A. A. Katashev, G. N. Violina, A. M. Strel'chuk, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural, electrical, and optical properties of 4$H$-SiC for ultraviolet photodetectors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:12 (2020),  1368–1373  mathnet  elib; Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633 1
2. E. V. Kalinina, M. F. Kudoyarov, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural and optical characteristics of 4$H$-SiC UV detectors irradiated with argon ions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1244–1248  mathnet  elib; Semiconductors, 54:11 (2020), 1478–1482 1
3. E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, M. Z. Shvarts, S. A. Levina, A. V. Nikolaev, “Effect of temperature on the characteristics of 4$H$-SiC UV photodetectors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:2 (2020),  195–201  mathnet  elib; Semiconductors, 54:2 (2020), 246–252 3
2019
4. E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Proton irradiation of 4$H$-SiC photodetectors with Schottky barriers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:6 (2019),  856–861  mathnet  elib; Semiconductors, 53:6 (2019), 844–849 7
5. A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:11 (2019),  28–30  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 3
2017
6. A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
2016
7. V. I. Nikolaev, A. I. Pechnikov, S. I. Stepanov, Sh. Sh. Sharofidinov, A. A. Golovatenko, I. P. Nikitina, A. N. Smirnov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, P. N. Brunkov, D. A. Kirilenko, “Chloride epitaxy of $\beta$-Ga$_{2}$O$_{3}$ layers grown on $c$-sapphire substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:7 (2016),  997–1000  mathnet  elib; Semiconductors, 50:7 (2016), 980–983 5
8. Sh. Sh. Sharofidinov, V. I. Nikolaev, A. N. Smirnov, A. V. Chikiryaka, I. P. Nikitina, M. A. Odnoblyudov, V. E. Bugrov, A. E. Romanov, “On a reduction in cracking upon the growth of AlN on Si substrates by hydride vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:4 (2016),  549–552  mathnet  elib; Semiconductors, 50:4 (2016), 541–544 4
1991
9. V. A. Dmitriev, L. B. Elfimov, I. Y. Linkov, Ya. V. Morozenko, I. P. Nikitina, V. E. Chelnokov, A. E. Cherenkov, M. A. Chernov, “SIC-ALN SOLID-SOLUTIONS GROWN BY THE LIQUID EPITAXY ON SIC-6H SUBSTRATES”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 17:6 (1991),  50–53  mathnet
1990
10. Yu. V. Zhilyaev, R. N. Kyutt, I. P. Nikitina, “COMPOSITION STOICHIOMETRY IN GAAS FILMS GROWN BY THE GAS-PHASE EPITAXY METHOD”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 60:11 (1990),  201–203  mathnet
11. Yu. V. Zhilyaev, V. V. Krivolapchuk, N. Nazarov, I. P. Nikitina, N. K. Poletaev, D. V. Sergeev, V. V. Travnikov, L. M. Fedorov, “Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:7 (1990),  1303–1305  mathnet
1989
12. N. I. Katsavets, L. B. Kuleva, E. I. Leonov, I. P. Nikitina, O. V. Titkova, “PHOTOELECTRIC AND STRUCTURAL-PROPERTIES OF BI12GEO20 AND BI12SIO20 MONOCRYSTAL SURFACE”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 59:12 (1989),  107–110  mathnet
13. I. M. Baranov, N. A. Belov, V. A. Dmitriev, N. G. Ivanova, T. S. Kondrateva, I. P. Nikitina, V. E. Chelnokov, V. F. Shatalov, R. N. Erlikh, “CRYSTALLIZATION OF SILICON-CARBIDE MONOCRYSTAL LAYERS ON SILICON AT 1050-1250-DEGREES-C”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 15:12 (1989),  50–52  mathnet
1988
14. I. M. Greskov, N. B. Guseva, I. P. Nikitina, L. M. Sorokin, “EFFECT OF NEUTRON-IRRADIATION ON STRUCTURAL DEFECTS IN CRUCIBLELESS SILICON”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 58:8 (1988),  1591–1593  mathnet
15. V. M. Abusev, E. I. Leonov, A. A. Lipovskii, I. P. Nikitina, S. E. Khabarov, L. G. Khokha, “STUDY OF OPTICAL WAVE-GUIDE STRUCTURES BASED ON MONOCRYSTAL SILLENITE FILMS”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 14:17 (1988),  1555–1560  mathnet
1986
16. M. S. Vasiliev, M. S. Vershinin, A. O. Lebedev, E. I. Leonov, I. P. Nikitina, “PRODUCTION AND SOME PROPERTIES OF PIEZOELECTRIC LAYERED ZNO-LINBO3 AND ZNO-BI12SIO20 STRUCTURES”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 56:2 (1986),  396–399  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
 Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024