|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
НОБЕЛЕВСКИЕ ЛЕКЦИИ ПО ФИЗИКЕ — 2014
Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком
Х. Амано Department of Electrical Engineering and Computer Science, Venture Business Laboratory, Akasaki Research Center, Nagoya University, Japan
Аннотация:
Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2014 г.
Поступила: 2 декабря 2015 г. Одобрена в печать: 8 декабря 2014 г.
Образец цитирования:
Х. Амано, “Выращивание кристалла GaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла GaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком”, УФН, 186:5 (2016), 518–523
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn5487 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v186/i5/p518
|
|