1. Konusov V F., Pavlov S.K., Lauk A.L., Kabyshev V A., Gadirov R.M., “Optical Properties of Aluminum- and Silicon-Nitride Films and Al-Si-N Nanocomposite Coatings Deposited By Reactive Magnetron Sputtering”, J. Surf. Ingestig., 15:1 (2021), 139–146  crossref  isi
  2. Г.Я. Красников, В.В. Макеев, П.Ш. Саттаров, А.А. Степанов, О.М. Орлов, “ИССЛЕДОВАНИЕ ХРАНЕНИЯ ИНФОРМАЦИИ В МЕМРИСТОРЕ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2021, № 4, 55  crossref
  3. Oreshonkov A.S., Roginskii E.M., Atuchin V.V., “New Candidate to Reach Shockley-Queisser Limit: the Dft Study of Orthorhombic Silicon Allotrope Si(Op32)”, J. Phys. Chem. Solids, 137 (2020), 109219  crossref  isi  scopus
  4. Tiour F., Benyahia B., Brihi N., Sari A., Mahmoudi B., Manseri A., Guenda A., “Opto-Structural Properties of Si-Rich Sinx With Different Stoichiometry”, Appl. Phys. A-Mater. Sci. Process., 126:1 (2020), 59  crossref  isi  scopus
  5. Sherstoboeva V M., Bavykina V A., Bolgaru K.A., Maksimov Yu.M., Sastre F., Skvortsova L.N., “Metal-Ceramic Composites For Photocatalytic Oxidation of Diclofenac in Aqueous Solution”, ChemistrySelect, 5:6 (2020), 1912–1918  crossref  isi  scopus
  6. Konusov F., Pavlov S., Lauk A., Tarbokov V., Karpov S., Karpov V., Gadirov R., Kashkarov E., Remnev G., “Effect of Short-Pulsed 200 Kev C+ Ion Beam and Continuous 350 Kev He2+ Ion Beam Irradiation on Optical Properties of Al-Si-N Coatings With a Various Si Content”, Surf. Coat. Technol., 389 (2020), 125564  crossref  isi  scopus
  7. Shekaari A., Jafari M., “Unveiling the First Post-Graphene Member of Silicon Nitrides: a Novel 2D Material”, Comput. Mater. Sci., 180 (2020), 109693  crossref  isi  scopus
  8. Gismatulin A.A., Orlov O.M., Gritsenko V.A., Kruchinin V.N., Mizginov D.S., Krasnikov G.Ya., “Charge Transport Mechanism in the Metal-Nitride-Oxide-Silicon Forming-Free Memristor Structure”, Appl. Phys. Lett., 116:20 (2020), 203502  crossref  isi  scopus
  9. В.Ю. Васильев, “АТОМНО-СЛОЕВОЕ ОСАЖДЕНИЕ ТОНКИХ СЛОЕВ НИТРИДА КРЕМНИЯ ДЛЯ МИКРО- И НАНОЭЛЕКТРОНИКИ, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, № 1, 31  crossref
  10. Stephen P. Cramer, Biological and Medical Physics, Biomedical Engineering, X-Ray Spectroscopy with Synchrotron Radiation, 2020, 165  crossref
  11. O. M. Orlov, A. A. Gismatulin, V. A. Gritsenko, D. S. Mizginov, “Charge Transport Mechanism in a Formless Memristor Based on Silicon Nitride”, Russ Microelectron, 49:5 (2020), 372  crossref
  12. Г.Я. Красников, О.М. Орлов, В.В. Макеев, “ИССЛЕДОВАНИЕ ЭФФЕКТА ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ И ТРАНСПОРТА ЗАРЯДА В БЕСФОРМОВОЧНОМ МЕМРИСТОРЕ НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ С РАЗНЫМИ ТИПАМИ МЕТАЛЛА ВЕРХНЕГО ЭЛЕКТРОДА, “Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника””, Электронная техника. Серия 3. Микроэлектроника, 2020, № 1, 42  crossref
  13. Gritsenko V.A. Gismatulin A.A. Baraban A.P. Chin A., “Mechanism of Stress Induced Leakage Current in Si3N4”, Mater. Res. Express, 6:7 (2019), 076401  crossref  isi  scopus
  14. Pashayev A.M., Tagiyev B.H., Tagiyev O.B., Majidova V.T., Sadikhov I.Z., “Influence of Electric Field on the Activation Energy of Local Levels in Semiconductors With Layered (Gase) and Cubic (Ga2Se3) Structures”, Semiconductors, 53:2 (2019), 210–214  crossref  isi  scopus
  15. Munoz-Rosas A.L., Rodriguez-Gomez A., Alonso-Huitron J.C., Qureshi N., “The Use of Mace Technique on Amorphous Silicon-Rich Silicon Nitride Thin Films For the Formation of Spherical Silica Nanoparticles”, J. Mater. Sci., 54:23 (2019), 14296–14308  crossref  isi  scopus
  16. Gritsenko V.A. Kruchinin V.N. Prosvirin I.P. Novikov Yu.N. Chin A. Volodin V.A., “Atomic and Electronic Structures of a-Sinx:H”, J. Exp. Theor. Phys., 129:5 (2019), 924–934  crossref  isi  scopus
  17. Vladimir G. Mansurov, Yurij G. Galitsyn, Timur V. Malin, Sergey A. Teys, Konstantin S. Zhuravlev, Ildiko Cora, Bela Pecz, 2D Materials, 2019  crossref
  18. Steffens J., Fazio M.A., Cavalcoli D., Terheiden B., “Multi-Characterization Study of Interface Passivation Quality of Amorphous Sub-Stoichiometric Silicon Oxide and Silicon Oxynitride Layers For Photovoltaic Applications”, Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 187 (2018), 104–112  crossref  isi  scopus
  19. Tikhov S.V., Gorshkov O.N., Antonov I.N., Tetelbaum D.I., Mikhaylov A.N., Belov A.I., Morozov A.I., Karakolis P., Dimitrakis P., “Behavioral Features of Mis Memristors With a Si3N4 Nanolayer Fabricated on a Conductive Si Substrate”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1540–1546  crossref  isi  scopus
  20. Chanturia V.A. Bunin I.Zh. Ryazantseva M.V. Chanturia E.L. Samusev A.L. Koporulina E.V. Anashkina N.E., “Intensification of Eudialyte Concentrate Leaching By Nanosecond High-Voltage Pulses”, J. Min. Sci., 54:4 (2018), 646–655  crossref  isi
Предыдущая
1
2
3
Следующая