Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2006, том 176, номер 9, страницы 983–987
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200609g.0983 (Mi ufn369) 		 
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ

Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов

Д. Р. Хохлов

Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
PDF полного текста (1016 kB) Список цитирования (11)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200609g.0983
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2006, Volume 49, Issue 9, Pages 955–959
DOI: https://doi.org/10.1070/PU2006v049n09ABEH006094
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 01.10.Fv, 07.57.-c, 78.20.-e, 85.30.-z
Образец цитирования: Д. Р. Хохлов, “Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов”, УФН, 176:9 (2006), 983–987; Phys. Usp., 49:9 (2006), 955–959
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kho06}
\by Д.~Р.~Хохлов
\paper Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов
\jour УФН
\yr 2006
\vol 176
\issue 9
\pages 983--987
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn369}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200609g.0983}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2006PhyU...49..955K}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2006
\vol 49
\issue 9
\pages 955--959
\crossref{https://doi.org/10.1070/PU2006v049n09ABEH006094}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000243785700005}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-33846480430}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn369
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v176/i9/p983
    КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
    Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    1. И. Г. Неизвестный, А. Э. Климов, В. Н. Шумский, “Матричные фотонные приёмники для дальней инфракрасной и субмиллиметровой области спектра”, УФН, 185:10 (2015), 1031–1042  mathnet  crossref  adsnasa  elib; I. G. Neizvestnyi, A. E. Klimov, V. N. Shumsky, “Photon far-infrared and submillimeter array detectors”, Phys. Usp., 58:10 (2015), 952–962  crossref  isi
    2. Одиноков С.Б., Кузнецов А.С., Николаев В.В., Завьялов В.В., Шиляев А.А., Грузевич Ю.К., Бедро Н.А., Воронин И.В., “Разработка оптической схемы оптико-электронного стенда для исследований параметров наноэлектромеханических преобразователей”, Естественные и технические науки, 2012, № 4, 233–235  elib
    3. Есман А.К., Кулешов В.К., Зыков Г.Л., “Сенсорная структура для терагерцовых информационно-измерительных технологий”, Измерительная техника, 2011, № 6, 54–56  elib; Esman A.K., Kuleshov V.K., Zykov G.L., “A Sensor Structure for Terahertz Data-Measuring Technologies”, Measurement Techniques, 54:6 (2011), 708–711  crossref  isi  scopus
    4. Корнеева М.Д., Пономаренко В.П., Филачëв А.М., “Современное состояние и новые направления полупроводниковой ик-фотоэлектроники часть 2*”, Прикладная физика, 2011, № 3, 82–90  mathscinet  elib
    5. Romcevic, N, “Raman spectroscopy of Pb1-xSnxTe (In) single crystals”, Journal of Alloys and Compounds, 474:1–2 (2009), 26  crossref  isi  scopus
    6. Nikolic P.M., Paraskevopoulos K.M., Vujatovic S.S., Nikolic M.V., Chatzistavrou X., Pavlidou E., Ivetic T., Blagojevic V., Bojicic A., Dinulovic D., “Optical properties of PbTe and PbSnTe doped with Cr”, Journal of Alloys and Compounds, 480:2 (2009), 893–896  crossref  mathscinet  isi  scopus
    7. Nikolic P.M., Paraskevopoulos K.M., Djukic S.R., Vujatovic S.S., Labus N.J., Zorba T.T., Jovic M., Nikolic M.V., Bojcic A., Blagojevic V., Stamenovic B., Koenig W., “Far infrared study of impurity local modes in palladium-doped PbTe and PbSnTe”, Journal of Alloys and Compounds, 475:1–2 (2009), 930–934  crossref  isi  scopus
    8. Khang Hoang, S. D. Mahanti, “Electronic structure of Ga-, In-, and Tl-doped PbTe: A supercell study of the impurity bands”, Phys Rev B, 78:8 (2008), 085111  crossref  mathscinet  adsnasa  isi  scopus
    9. Poklonski, N, “Calculation of capacitance of self-compensated semiconductors with intercenter hops of one and two electrons (by the example of silicon with radiation defects)”, Semiconductors, 42:12 (2008), 1388  crossref  adsnasa  isi  elib  scopus
    10. Nikolic P.M., Vujatovic S.S., Golic D.L., Labus N.J., Paraskevopoulos K.M., Zorbas K.T., Nikolic M.V., Bojicic A., Blagojevic V., Koenig W., “Far infrared spectroscopy of Pb0.85Sn0.15Te alloy doped with Ni”, International Journal of Materials Research, 99:12 (2008), 1393–1396  crossref  isi
    11. Khang Hoang, S. D. Mahanti, Puru Jena, “Theoretical study of deep-defect states in bulk PbTe and in thin films”, Phys Rev B, 76:11 (2007), 115432  crossref  adsnasa  isi  scopus
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:540
    PDF полного текста:182
    Список литературы:52
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025