|
Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)
КОНФЕРЕНЦИИ И СИМПОЗИУМЫ
Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов
Д. Р. Хохлов Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова
Образец цитирования:
Д. Р. Хохлов, “Высокочувствительные приемники терагерцового излучения на основе нового класса полупроводниковых материалов”, УФН, 176:9 (2006), 983–987; Phys. Usp., 49:9 (2006), 955–959
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ufn369 https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v176/i9/p983
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 513 | PDF полного текста: | 171 | Список литературы: | 42 | Первая страница: | 1 |
|