Инжекционный лазер в режиме автомодуляции

Исследуется автомодуляционный режим генерации полупроводникового лазера с неоднородной накачкой на основе решения скоростных уравнений в релаксационном приближении. Показано, что данное решение позволяет получить достаточно точную картину динамики колебательного процесса. Для одной частной геометрии двухкомпонентного лазера получены зависимости параметров автомодуляционных импульсов от токов накачки.