Аннотация:
Исследуется автомодуляционный режим генерации полупроводникового лазера с неоднородной накачкой на основе решения скоростных уравнений в релаксационном приближении. Показано, что данное решение
позволяет получить достаточно точную картину динамики колебательного процесса. Для одной частной геометрии двухкомпонентного лазера получены зависимости параметров автомодуляционных импульсов
от токов накачки.
Образец цитирования:
А. Т. Семенов, “Инжекционный лазер в режиме автомодуляции”, Квантовая электроника, 6 (1971), 107–110 [Sov J Quantum Electron, 1:6 (1972), 652–654]
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/qe3309
https://www.mathnet.ru/rus/qe/y1971/i6/p107
Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, Е. И. Астахов, С. Ю. Добдин, Квантовая электроника, 48:6 (2018), 577–581; Quantum Electron., 48:6 (2018), 577–581
Usanov D.A. Skripal V A. Astakhov I E. Dobdin S.Y., Proceedings of Spie, 10717, ed. Derbov V. Postnov D., Spie-Int Soc Optical Engineering, 2018, 1071708
Д. А. Усанов, Ан. В. Скрипаль, Е. И. Астахов, Квантовая электроника, 44:2 (2014), 184–188; Quantum Electron., 44:2 (2014), 184–188
Д. А. Усанов, Ан. В. Скрипаль, Квантовая электроника, 41:1 (2011), 86–94; Quantum Electron., 41:1 (2011), 86–94
Обратная связь: