Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2003, том 33, номер 9, страницы 758–764 (Mi qe2497)  

Эта публикация цитируется в 11 научных статьях (всего в 11 статьях)

Статьи, посвященные памяти академика А.М.Прохорова

Динамика формирования и развития плазмы в газах и прозрачных твердых телах в поле высокоинтенсивных остросфокусированных пикосекундных лазерных импульсов

С. В. Гарновa, В. И. Коновa, А. А. Малютинa, О. Г. Царьковаa, И. С. Яцковскийa, Ф. Даусингерb

a Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
b Institut für Strahlwerkzeuge, Deutschland
Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований динамики формирования и развития лазерной плазмы, возникающей в микрообъемах газов (воздухе) и прозрачных твердых телах (плавленом кварце) при воздействии высокоинтенсивных ($I\simeq(1-2)\times10^{14}$Вт/см$^2$), остросфокусированных в область диаметром до 4 мкм пикосекундных лазерных импульсов видимого спектрального диапазона ($\lambda=539$ нм) длительностью $\sim22$ пс. Проведены прецизионные (с пространственным разрешением $\sim1.6$ мкм и временным разрешением $\sim3$ пс) интерферометрические измерения пространственно-временного распределения коэффициента преломления и электронной плотности непосредственно во время действия возбуждающих пикосекундных лазерных импульсов. Показано, что уже на ранних стадиях формирования плазмы в воздухе, в течение нескольких пикосекунд после ее возникновения, происходит практически полная ионизация исходного газа. В объеме твердых прозрачных диэлектриков (плавленый кварц) при воздействии пикосекундных лазерных импульсов зарегистрировано обратимое, не приводящее к лазерному разрушению материала, возникновение плазмы с концентрацией электронов более 10$^{20}$ см$^{-3}$.
Поступила в редакцию: 01.04.2003
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2003, Volume 33, Issue 9, Pages 758–764
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2003v033n09ABEH002497
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 52.50.Jm, 52.70.Kz
Образец цитирования: С. В. Гарнов, В. И. Конов, А. А. Малютин, О. Г. Царькова, И. С. Яцковский, Ф. Даусингер, “Динамика формирования и развития плазмы в газах и прозрачных твердых телах в поле высокоинтенсивных остросфокусированных пикосекундных лазерных импульсов”, Квантовая электроника, 33:9 (2003), 758–764 [Quantum Electron., 33:9 (2003), 758–764]
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GarKonMal03}
\by С.~В.~Гарнов, В.~И.~Конов, А.~А.~Малютин, О.~Г.~Царькова, И.~С.~Яцковский, Ф.~Даусингер
\paper Динамика формирования и развития плазмы в газах и прозрачных твердых телах в поле высокоинтенсивных остросфокусированных пикосекундных лазерных импульсов
\jour Квантовая электроника
\yr 2003
\vol 33
\issue 9
\pages 758--764
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/qe2497}
\transl
\jour Quantum Electron.
\yr 2003
\vol 33
\issue 9
\pages 758--764
\crossref{https://doi.org/10.1070/QE2003v033n09ABEH002497}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000187221000002}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe2497
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v33/i9/p758
  • Эта публикация цитируется в следующих 11 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:287
    PDF полного текста:144
    Первая страница:1
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024