Квантовая электроника
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Квантовая электроника:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Квантовая электроника, 2007, том 37, номер 8, страницы 753–759 (Mi qe13610)  

Эта публикация цитируется в 10 научных статьях (всего в 10 статьях)

Активные среды. Лазеры

Твердотельные неодимовые лазеры на кристаллах кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой

М. И. Беловоловa, С. И. Державинb, Д. А. Машковскийb, К. С. Сальниковa, Н. Н. Сысоевc, М. И. Тимошечкинd, А. Ф. Шаталовa

a Научный центр волоконной оптики РАН, г. Москва
b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва
c Физический факультет, Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова
d Научный центр лазерных материалов и технологий, Институт общей физики им. А. М. Прохорова РАН, г. Москва
Аннотация: Исследованы спектрально-люминесцентные и лазерные характеристики кристаллов кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ (CGGG:Nd) и проведено их сравнение с соответствующими характеристиками кристаллов YAG:Nd. Изучена непрерывная пространственно одномодовая генерация на этих кристаллах на длине волны λ = 1.064 мкм в схеме с продольной диодной накачкой через оптическое волокно, и показано, что при одинаковых по геометрии схемах накачки Nd:CGGG-лазер близок по мощности генерации к Nd:YAG-лазеру. Определенo эффективноe сечениe индуцированных переходов σ, оно составило 1.4 × 10-19 см2 для кристаллов CGGG:Nd. Обнаружено, что спектр линии генерации Nd:CGGG-лазерa на λ≈1.064 мкм является неоднородно уширенным и имеет тонкую структуру из четырех отчетливых пиков, подтверждающих спектроскопические данные о существовании четырех основных типов активаторных центров ионов Nd3+ в кристаллах Ca3Ga2Ge3O12. В конструкции компактного твердотельного лазера при толщине активного элемента 1 мм в непрерывном режиме генерации получена выходная мощность 700 мВт при поглощенной мощности накачки 2.7 Вт. Показано, что основными механизмами, ограничивающими выходную мощность твердотельного лазера на основе кристалла CGGG:Nd, являются термические искажения активного элемента.
Поступила в редакцию: 27.04.2007
Исправленный вариант: 15.06.2007
Англоязычная версия:
Quantum Electronics, 2007, Volume 37, Issue 8, Pages 753–759
DOI: https://doi.org/10.1070/QE2007v037n08ABEH013610
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 42.55.Rz, 42.60.Lh


Образец цитирования: М. И. Беловолов, С. И. Державин, Д. А. Машковский, К. С. Сальников, Н. Н. Сысоев, М. И. Тимошечкин, А. Ф. Шаталов, “Твердотельные неодимовые лазеры на кристаллах кальций-галлий-германиевого граната Ca3Ga2Ge3O12:Nd3+ с диодной накачкой”, Квантовая электроника, 37:8 (2007), 753–759 [Quantum Electron., 37:8 (2007), 753–759]
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe13610
  • https://www.mathnet.ru/rus/qe/v37/i8/p753
  • Эта публикация цитируется в следующих 10 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Квантовая электроника Quantum Electronics
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024