Синтез тонких пленок MgAl$_2$O$_4$ анодным испарением Al и Mg в дуге низкого давления (Ar/О$_2$, 1 Pa)

Реактивным анодным испарением Al и Mg в дуге низкого давления (Ar/O$_2$, 1 Pa) и осаждением паров при $\sim$400$^\circ$C синтезированы пленки алюмомагниевой шпинели. Низкотемпературный синтез пленок происходил в условиях воздействия потока ионов (25–100 eV, 1–2 mA/cm$^2$) со значительным содержанием металлических ионов. Пленки кубической шпинели имели сильную текстуру (100) и уровень микроискажений кристаллической решетки $\sim$1%. Скорость осаждения пленок с регулируемым в пределах 1.2–2.4 относительным содержанием атомов Al и Mg составляла 1–3 $\mu$m/h.