Сверхпроводящий резонатор с микромостиком из гафния при температурах 50–350 mK

Экспериментально продемонстрирован высокодобротный сверхпроводящий резонатор с микромостиком из пленки гафния для применения в схеме считывания изображающей матрицы терагерцевого диапазона с частотным мультиплексированием. Исследовалась вариабельность импеданса мостика на частоте 1.5 GHz, что является ключевым фактором управления добротностью резонатора. Мостик, имеющий толщину около 50 nm, критическую температуру $T_{C}\approx$ 380 mK и размер в плане 2.5 $\times$ 2.5 $\mu$m, был включен как нагрузка резонатора, выполненного из пленки ниобия толщиной около 100 nm (T$_{C}$ $\sim$ 9 K). Показано, что мостик плавно меняет свой импеданс пропорционально мощности смещения во всем диапазоне температур. Измерения эффективной теплоизоляции мостика проводились в криостате растворения при температурах 50–300 mK. Вычислена тепловая проводимость мостика $G$, которая составила $\sim$4 $\cdot$ 10$^{-13}$ W/K, что дает оценку чувствительности структуры в болометрическом режиме NEP $\approx$ 8 $\cdot$ 10$^{-19}$ W/Hz$^{1/2}$ при температуре 150 mK.