|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Сверхпроводящий резонатор с микромостиком из гафния при температурах 50–350 mK
А. В. Меренковa, С. В. Шитовab, В. И. Чичковa, А. Б. Ермаковb, Т. М. Кимa, А. В. Устиновac a Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", г. Москва
b Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
c Физический институт Университета Карлсруэ, Карлсруэ, Германия
Аннотация:
Экспериментально продемонстрирован высокодобротный сверхпроводящий резонатор с микромостиком из пленки гафния для применения в схеме считывания изображающей матрицы терагерцевого диапазона с частотным мультиплексированием. Исследовалась вариабельность импеданса мостика на частоте 1.5 GHz, что является ключевым фактором управления добротностью резонатора. Мостик, имеющий толщину около 50 nm, критическую температуру $T_{C}\approx$ 380 mK и размер в плане 2.5 $\times$ 2.5 $\mu$m, был включен как нагрузка резонатора, выполненного из пленки ниобия толщиной около 100 nm (T$_{C}$ $\sim$ 9 K). Показано, что мостик плавно меняет свой импеданс пропорционально мощности смещения во всем диапазоне температур. Измерения эффективной теплоизоляции мостика проводились в криостате растворения при температурах 50–300 mK. Вычислена тепловая проводимость мостика $G$, которая составила $\sim$4 $\cdot$ 10$^{-13}$ W/K, что дает оценку чувствительности структуры в болометрическом режиме NEP $\approx$ 8 $\cdot$ 10$^{-19}$ W/Hz$^{1/2}$ при температуре 150 mK.
Поступила в редакцию: 11.12.2017
Образец цитирования:
А. В. Меренков, С. В. Шитов, В. И. Чичков, А. Б. Ермаков, Т. М. Ким, А. В. Устинов, “Сверхпроводящий резонатор с микромостиком из гафния при температурах 50–350 mK”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 59–67; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 581–584
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5764 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i13/p59
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 38 | PDF полного текста: | 23 |
|