Структура, соcтав и свойства кремния, имплантированного ионами цинка и кислорода при повышенной температуре

Подложки Si, выращенные методом Чохральского ($n$-тип, ориентация (100)), были подвергнуты двойной имплантации: вначале ионами $^{64}$Zn$^{+}$ с дозой 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-2}$ и энергией 50 кэВ, а затем ионами $^{16}$O$^{+}$ с дозой 2 $\cdot$ 10$^{17}$ см$^{-2}$ и энергией 20 кэВ. Во время имплантации температура подложки поддерживалась $\sim$350$^\circ$C. После имплантации Si-подложка содержит радиационные дефекты и их кластеры: двойники, дислокации, а также нанокластыры (НК), а, именно, на поверхности и в приповерхностном слое подложки образовались Zn-содержащие НК со средним радиусом 10–50 нм преимущественно из фазы металлического Zn и частично из фазы ZnO. После фотонного отжига до эффективной температуры 700$^\circ$С, оптимальной для получения фазы ZnO, радиационные дефекты отожглись, а на поверхности образца зафиксированы Zn-содержащие НК, предположительно, состоящие из фазы ZnO и частично из фазы Zn$_{2}$SiO$_{4}$ со средним диаметром 50–100 нм.