Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 3, страница 282 (Mi phts6596)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

TlGaN quantum-dot photodetectors

A. G. AL-Shatravia, H. Hassanb, S. M. Abdulalmuhsina, A. H. Al-Khursanb

a Physics Department, College of Science, University of Thi-Qar, Nassiriyah, Iraq
b Nassiriya Nanotechnology Research Laboratory (NNRL), College of Science, University of Thi-Qar, Nassiriyah, Iraq
PDF полного текста (27 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Due to the lack of work in structures containing thallium (Tl), this work is devoted to study of Ga$_8$Tl$_2$N quantum-dot photodetectors. Parameters are specified first. This structure is shown to have low absorption. Enough quantum efficiency is obtained. This detector works at 360–460 nm and peaked at 410 nm, which can be used in optical coherence tomography applications.
Ключевые слова: quantum dot, thallium-based structures, quantum efficiency, absorption spectrum.
Поступила в редакцию: 28.09.2020
Исправленный вариант: 28.09.2020
Принята в печать: 03.11.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 3, Pages 359–362
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621030039
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. G. AL-Shatravi, H. Hassan, S. M. Abdulalmuhsin, A. H. Al-Khursan, “TlGaN quantum-dot photodetectors”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 282; Semiconductors, 55:3 (2021), 359–362
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Al-HasAbd21}
\by A.~G.~AL-Shatravi, H.~Hassan, S.~M.~Abdulalmuhsin, A.~H.~Al-Khursan
\paper TlGaN quantum-dot photodetectors
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 282
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6596}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 3
\pages 359--362
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621030039}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6596
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i3/p282
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    1. Buraq T. Sh. Almosawi, Mohammed K. Al-Hashimi, Baqer Obaid Al-Nashy, Amin H. Al-Khursan, “B0.1In0.9P Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifiers”, J Opt, 53:2 (2024), 1557  crossref
    2. Khamael Ibrahim, Baqer O. Al-Nashy, Faten K. Hachim, Amin Habbeb Al-Khursan, “Thallium bromide quantum dot structure”, Results in Optics, 11 (2023), 100391  crossref
    3. Baqer O. Al-Nashy, Buraq T. Sh. Al-Mosawi, Mushtaq Obaid Oleiwi, Amin H. Al-Khursan, K. Ramash Kumar, “Gain of TlBr/BrCl Quantum Dot Semiconductor Optical Amplifier”, Journal of Electrical and Computer Engineering, 2023 (2023), 1  crossref
    4. Xian-Hao Zhao, Xiao-Nan Wei, Tian-Yu Tang, Quan Xie, Li-Ke Gao, Li-Min Lu, De-Yuan Hu, Li Li, Yan-Lin Tang, “Theoretical prediction of the structural, electronic and optical properties of vacancy-ordered double perovskites Tl2TiX6 (X = Cl, Br, I)”, Journal of Solid State Chemistry, 305 (2022), 122684  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:56
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025