Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 35–38 (Mi phts6559)  

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Электронные свойства полупроводников

К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe

А. Ш. Абдиновa, Р. Ф. Бабаеваb, Р. М. Рзаевb, Н. А. Рагимоваa, С. И. Амироваa

a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский государственный экономический университет
Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости электрофизических параметров (удельной электропроводности и постоянной Холла) от температуры в чистых и слабо легированных редкоземельными элементами (гадолинием, гольмием и диспрозием) кристаллах селенида индия ($n$-InSe). Установлено, что полученные при этом результаты зависят от происхождения изучаемых образцов и для различных образцов оказываются разноречивым. Полученные при этом экспериментальные результаты объяснялись с учетом наличия хаотических крупномасштабных дефектов и обусловленных ими дрейфовых барьеров в исследуемых образцах.
Поступила в редакцию: 09.04.2015
Принята в печать: 30.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 34–37
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010024
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева, Р. М. Рзаев, Н. А. Рагимова, С. И. Амирова, “К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 35–38; Semiconductors, 50:1 (2016), 34–37
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbdBabRza16}
\by А.~Ш.~Абдинов, Р.~Ф.~Бабаева, Р.~М.~Рзаев, Н.~А.~Рагимова, С.~И.~Амирова
\paper К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 35--38
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6559}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668006}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 34--37
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010024}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6559
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p35
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024