|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 35–38
(Mi phts6559)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Электронные свойства полупроводников
К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe
А. Ш. Абдиновa, Р. Ф. Бабаеваb, Р. М. Рзаевb, Н. А. Рагимоваa, С. И. Амироваa a Бакинский государственный университет
b Азербайджанский государственный экономический университет
Аннотация:
Экспериментально исследованы зависимости электрофизических параметров (удельной электропроводности и постоянной Холла) от температуры в чистых и слабо легированных редкоземельными элементами (гадолинием, гольмием и диспрозием) кристаллах селенида индия ($n$-InSe). Установлено, что полученные при этом результаты зависят от происхождения изучаемых образцов и для различных образцов оказываются разноречивым. Полученные при этом экспериментальные результаты объяснялись с учетом наличия хаотических крупномасштабных дефектов и обусловленных ими дрейфовых барьеров в исследуемых образцах.
Поступила в редакцию: 09.04.2015 Принята в печать: 30.04.2015
Образец цитирования:
А. Ш. Абдинов, Р. Ф. Бабаева, Р. М. Рзаев, Н. А. Рагимова, С. И. Амирова, “К вопросу об электрофизических свойствах монокристаллов $n$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 35–38; Semiconductors, 50:1 (2016), 34–37
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6559 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p35
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 36 | PDF полного текста: | 18 |
|