Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 1, страницы 39–43 (Mi phts6560)  

Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Получение и фотоэлектрические свойства твердых растворов Tl$_{1-x}$In$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.1–0.25)

С. П. Данильчук, Г. Л. Мирончук, М. Ю. Мозолюк, В. В. Божко

Восточноевропейский национальный университет имени Леси Украинки, Луцк, Украина
Аннотация: Разработаны технологические условия выращивания монокристаллов твердых растворов Tl$_{1-x}$In$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.1–0.25). Исследованы спектральное распределение фотопроводимости полученных кристаллов при $T$ = 300 K и термостимулированная проводимость. Показано влияние катионного замещения In$^{3+}$ на Sn$^{4+}$ в твердых растворах Tl$_{1-x}$In$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.1–0.25) на их фотоэлектрические свойства.
Поступила в редакцию: 29.04.2015
Принята в печать: 30.04.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 1, Pages 38–42
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616010073
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. П. Данильчук, Г. Л. Мирончук, М. Ю. Мозолюк, В. В. Божко, “Получение и фотоэлектрические свойства твердых растворов Tl$_{1-x}$In$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.1–0.25)”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 39–43; Semiconductors, 50:1 (2016), 38–42
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DanMyrMoz16}
\by С.~П.~Данильчук, Г.~Л.~Мирончук, М.~Ю.~Мозолюк, В.~В.~Божко
\paper Получение и фотоэлектрические свойства твердых растворов Tl$_{1-x}$In$_{1-x}$Sn$_{x}$Se$_{2}$ ($x$ = 0.1--0.25)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 39--43
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6560}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668009 }
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 1
\pages 38--42
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616010073}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6560
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i1/p39
  • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:32
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024