|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 415–419
(Mi phts6525)
|
|
|
|
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN
А. А. Юговa, С. С. Малаховa, А. А. Донсковa, М. П. Духновскийb, С. Н. Князевa, Ю. П. Козловаc, Т. Г. Юговаa, И. А. Белогороховa a Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
b Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
c Институт ядерных исследований РАН, г. Москва
Аннотация:
Показано влияние типа подложки – сапфир (c- и r-ориентации) или темплейт GaN/Al2O3 (c- и r-ориентации) – на процесс нитридизации аморфного нанослоя титана. Обнаружено влияние толщины нанослоя титана на процесс самоотделения толстого слоя GaN от подложки. Толщина нанослоя титана, при котором воспроизводимо происходит самоотделение толстого слоя GaN от подложки, находится в пределах 20–40 нм.
Поступила в редакцию: 23.06.2015 Принята в печать: 30.06.2015
Образец цитирования:
А. А. Югов, С. С. Малахов, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 415–419; Semiconductors, 50:3 (2016), 411–414
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6525 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p415
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 19 |
|