Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 415–419 (Mi phts6525)  
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN

А. А. Юговa, С. С. Малаховa, А. А. Донсковa, М. П. Духновскийb, С. Н. Князевa, Ю. П. Козловаc, Т. Г. Юговаa, И. А. Белогороховa

a Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет", Москва, Россия
b Государственное научно-производственное предприятие "Исток", г. Фрязино, Московская обл.
c Институт ядерных исследований РАН, г. Москва
PDF полного текста (1023 kB)
Аннотация: Показано влияние типа подложки – сапфир (c- и r-ориентации) или темплейт GaN/Al$_{2}$O$_{3}$ (c- и r-ориентации) – на процесс нитридизации аморфного нанослоя титана. Обнаружено влияние толщины нанослоя титана на процесс самоотделения толстого слоя GaN от подложки. Толщина нанослоя титана, при котором воспроизводимо происходит самоотделение толстого слоя GaN от подложки, находится в пределах 20–40 нм.
Поступила в редакцию: 23.06.2015
Принята в печать: 30.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 411–414
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030246
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. А. Югов, С. С. Малахов, А. А. Донсков, М. П. Духновский, С. Н. Князев, Ю. П. Козлова, Т. Г. Югова, И. А. Белогорохов, “Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 415–419; Semiconductors, 50:3 (2016), 411–414
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{YugMalDon16}
\by А.~А.~Югов, С.~С.~Малахов, А.~А.~Донсков, М.~П.~Духновский, С.~Н.~Князев, Ю.~П.~Козлова, Т.~Г.~Югова, И.~А.~Белогорохов
\paper Влияние толщины нанослоя Ti на процесс самоотделения толстых эпитаксиальных слоев GaN
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 415--419
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6525}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668215}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 411--414
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030246}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6525
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p415
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:23
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024