|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 377–381
(Mi phts6519)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)
Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники
Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация:
Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением.
Поступила в редакцию: 28.05.2015 Принята в печать: 14.07.2015
Образец цитирования:
Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко, “Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 377–381; Semiconductors, 50:3 (2016), 372–376
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6519 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p377
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 50 | PDF полного текста: | 25 |
|