Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 377–381 (Mi phts6519)  
Эта публикация цитируется в 15 научных статьях (всего в 15 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний

Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
PDF полного текста (1885 kB) Список цитирования (15)
Аннотация: Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением.
Поступила в редакцию: 28.05.2015
Принята в печать: 14.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 372–376
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030040
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко, “Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 377–381; Semiconductors, 50:3 (2016), 372–376
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChuRedShe16}
\by Е.~Б.~Чубенко, С.~В.~Редько, А.~И.~Шерстнев, В.~А.~Петрович, Д.~А.~Котов, В.~П.~Бондаренко
\paper Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 377--381
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6519}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668190}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 372--376
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030040}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6519
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p377
    • Эта публикация цитируется в следующих 15 статьяx:
    1. Nikita Grevtsov, Eugene Chubenko, Ilya Gavrilin, Dmitry Goroshko, Olga Goroshko, Ilia Tsiniaikin, Vitaly Bondarenko, Maksim Murtazin, Alexey Dronov, Sergey Gavrilov, “Impact of porous silicon thickness on thermoelectric properties of silicon-germanium alloy films produced by electrochemical deposition of germanium into porous silicon matrices followed by rapid thermal annealing”, Materials Science in Semiconductor Processing, 187 (2025), 109148  crossref
    2. Nikita Grevtsov, Eugene Chubenko, Vitaly Bondarenko, Ilya Gavrilin, Alexey Dronov, Sergey Gavrilov, Dmitry Goroshko, Olga Goroshko, Grigory Rymski, Kazimir Yanushkevich, “Thermoelectric materials based on cobalt-containing sintered silicon-germanium alloys”, Materials Research Bulletin, 184 (2025), 113258  crossref
    3. Rohan Borse, Jainam Shah, Aarti More, “A Review of Protective and Decorative Coatings on Polyester Fabrics”, bt, 2024  crossref
    4. E. B. Chubenko, N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. V. Pavlikov, A. A. Dronov, L. S. Volkova, S. A. Gavrilov, “RAMAN SPECTRА OF SILICON/GERMANIUM ALLOY THIN FILMS BASED ON POROUS SILICON”, Ž. prikl. spektrosk. (Minsk), 89:5 (2022), 614  crossref
    5. Nikita Grevtsov, Eugene Chubenko, Vladimir Petrovich, Vitaly Bondarenko, Ilya Gavrilin, Alexey Dronov, Sergey Gavrilov, “Selective electrochemical deposition of indium in-between silicon nanowire arrays fabricated by metal-assisted chemical etching”, Materialia, 21 (2022), 101337  crossref
    6. Muhammad Wasim, Muhammad Mushtaq, Saif Ullah Khan, Amjad Farooq, Muhammad Awais Naeem, Muhammad Rafique Khan, Abdul Salam, Qufu Wei, “Development of bacterial cellulose nanocomposites: An overview of the synthesis of bacterial cellulose nanocomposites with metallic and metallic-oxide nanoparticles by different methods and techniques for biomedical applications”, Journal of Industrial Textiles, 51:2_suppl (2022), 1886S  crossref
    7. E. B. Chubenko, N. L. Grevtsov, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. V. Pavlikov, A. A. Dronov, L. S. Volkova, S. A. Gavrilov, “Raman Spectra of Silicon/Germanium Alloy Thin Films Based on Porous Silicon”, J Appl Spectrosc, 89:5 (2022), 829  crossref
    8. Nadzeya Khinevich, Mindaugas Juodėnas, Asta Tamulevičienė, Hanna Bandarenka, Sigitas Tamulevičius, “Tailoring Mesoporous Silicon Surface to Form a Versatile Template for Nanoparticle Deposition”, Coatings, 11:6 (2021), 699  crossref
    9. Lingling Meng, Youjiang Wang, Qufu Wei, Xinmin Huang, Jiayu Shen, Hongwei Chen, “Study on the structure and properties of Ag/Cu nanocomposite film deposited on the surface of polyester substrates”, The Journal of The Textile Institute, 112:10 (2021), 1671  crossref
    10. Н. Л. Гревцов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко, И. М. Гаврилин, А. А. Дронов, С. А. Гаврилов, “Влияние окисления пористого кремния на формирование нанокомпозитов пористый кремний/индий электрохимическим методом”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 49–51  mathnet  crossref; N. L. Grevtsov, E. B. Chubenko, V. P. Bondarenko, I. M. Gavrilin, A. A. Dronov, S. A. Gavrilov, “The effect of porous silicon oxidation on electrochemical formation of porous silicon–indium nanocomposites”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 341–343  mathnet  crossref
    11. Rene Castro, Yulia Spivak, Sergey Shevchenko, Vyacheslav Moshnikov, “Low-Frequency Dielectric Relaxation in Structures Based on Macroporous Silicon with Meso-Macroporous Skin-Layer”, Materials, 14:10 (2021), 2471  crossref
    12. Nikita Grevtsov, Eugene Chubenko, Vitaly Bondarenko, Ilya Gavrilin, Alexey Dronov, Sergey Gavrilov, “Electrochemical deposition of indium into oxidized and unoxidized porous silicon”, Thin Solid Films, 734 (2021), 138860  crossref
    13. Ю. М. Спивак, А. О. Белорус, А. А. Паневин, С. Г. Журавский, В. А. Мошников, К. А. Беспалова, П. А. Сомов, Ю. М. Жуков, А. С. Комолов, Л. В. Чистякова, Н. Ю. Григорьева, “Пористый кремний как наноматериал для дисперсных транспортных систем направленной лекарственной доставки ко внутреннему уху”, ЖТФ, 88:9 (2018), 1394–1403  mathnet  crossref; Yu. M. Spivak, A. O. Belorus, A. A. Panevin, S. G. Zhuravskii, V. A. Moshnikov, K. A. Bespalova, P. A. Somov, Yu. M. Zhukov, A. S. Komolov, L. V. Chistyakova, N. Yu. Grigor'eva, “Porous silicon as a nanomaterial for disperse transport systems of targeted drug delivery to the inner ear”, Tech. Phys., 63:9 (2018), 1352–1360  mathnet  crossref
    14. Yulia Spivak, 2018 IEEE International Conference on Electrical Engineering and Photonics (EExPolytech), 2018, 244  crossref
    15. Xiaohong Yuan, Wenzheng Xu, Fenglin Huang, Dongsheng Chen, Qufu Wei, “Polyester fabric coated with Ag/ZnO composite film by magnetron sputtering”, Applied Surface Science, 390 (2016), 863  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:61
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025