Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 377–381 (Mi phts6519)  

Эта публикация цитируется в 13 научных статьях (всего в 13 статьях)

Микро- и нанокристаллические, пористые, композитные полупроводники

Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний

Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко

Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники
Аннотация: Проведены исследования влияния приповерхностного слоя на процесс электрохимического осаждения металлов и полупроводников в пористый кремний. Показано, что данный слой имеет отличные от основного объема пористого кремния структуру и электрофизические характеристики. Установлено, что уменьшение электропроводности кремниевых кристаллитов, образующих приповерхностный слой пористого кремния, оказывает положительное влияние на процесс заполнения пористого кремния металлами и полупроводниками, что продемонстрировано на примере никеля и оксида цинка. Это может быть использовано для создания нанокомпозитных материалов на основе пористого кремния и наноструктур с высоким аспектным соотношением.
Поступила в редакцию: 28.05.2015
Принята в печать: 14.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 372–376
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030040
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. Б. Чубенко, С. В. Редько, А. И. Шерстнев, В. А. Петрович, Д. А. Котов, В. П. Бондаренко, “Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 377–381; Semiconductors, 50:3 (2016), 372–376
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{ChuRedShe16}
\by Е.~Б.~Чубенко, С.~В.~Редько, А.~И.~Шерстнев, В.~А.~Петрович, Д.~А.~Котов, В.~П.~Бондаренко
\paper Влияние приповерхностного слоя на электрохимическое осаждение металлов и полупроводников в мезопористый кремний
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 377--381
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6519}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668190}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 372--376
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030040}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6519
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p377
  • Эта публикация цитируется в следующих 13 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:50
    PDF полного текста:25
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024