Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 382–387 (Mi phts6520)  

Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Углеродные системы

Модель адсорбции на аморфном графене

С. Ю. Давыдовab

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Предложена модель плотности состояний аморфного однолистного графена, включающая как близкую к точке Дирака, так и периферийную области энергий. С помощью предложенной модели решена задача об адсорбции с использованием аппроксимации, позволяющей представить зонные вклады $n_{b}$ в числа заполнения адатома $n_{a}$ в аналитическом виде. Сделаны оценки вызванного аморфизацией изменения чисел заполнения адатомов щелочных металлов и галогенов.
Поступила в редакцию: 07.07.2015
Принята в печать: 08.09.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 377–383
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030052
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: С. Ю. Давыдов, “Модель адсорбции на аморфном графене”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 382–387; Semiconductors, 50:3 (2016), 377–383
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Dav16}
\by С.~Ю.~Давыдов
\paper Модель адсорбции на аморфном графене
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 382--387
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6520}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668193}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 377--383
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030052}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6520
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p382
  • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024