Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 2, страницы 243–247
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45450.8639 (Mi phts5923) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Углеродные системы

Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS

Б. Н. Мирошниковab, И. Н. Мирошниковаab, А. И. Поповab

a Национальный исследовательский университет «Московский энергетический институт»
b Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН, Москва, Россия
PDF полного текста (131 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45450.8639
Аннотация: Представлены результаты исследования фоточувствительных элементов на основе поликристаллических слоев сульфида свинца. Они позволили рассмотреть влияние гетерогенных реакций на границах кристаллит–окружающая среда на характеристики фоточувствительного элемента. Показано, что путем термообработки в вакууме можно существенно изменить параметры уже сформированных структур, оптимизируя их применительно к конкретным оптико-электронным системам. Предложена модель, объясняющая природу явлений.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-07-00417-а
Работа проводилась при поддержке РФФИ, грант № 16-07-00417-а.
Поступила в редакцию: 11.05.2017
Принята в печать: 22.06.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 2, Pages 231–235
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618020082
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Б. Н. Мирошников, И. Н. Мирошникова, А. И. Попов, “Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS”, Физика и техника полупроводников, 52:2 (2018), 243–247; Semiconductors, 52:2 (2018), 231–235
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MirMirPop18}
\by Б.~Н.~Мирошников, И.~Н.~Мирошникова, А.~И.~Попов
\paper Оптимизация параметров поликристаллических фоторезисторов на основе PbS
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 243--247
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5923}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.02.45450.8639}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32739668}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 2
\pages 231--235
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618020082}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5923
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i2/p243
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:35
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024