Электрическая перестройка усиления терагерцового излучения в периодической плазмонной графеновой структуре с инжекцией носителей заряда

Теоретически исследована зависимость терагерцовой резонансной частоты плазмона в точке генерации от величины квазиэнергии Ферми на участке графена с инверсной населенностью носителей заряда и от энергии Ферми в подзатворных $p$- и $n$-областях в периодической $p$–$i$–$n$-структуре на основе графена с инжекционной накачкой. Таким образом, показана возможность создания электрически частотно-перестраиваемых наноразмерных плазмонных графеновых усилителей и генераторов в широком терагерцовом частотном диапазоне при комнатной температуре.