Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 2, страницы 158–160
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47091.8893 (Mi phts5579) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Особенности свойств редкоземельных полупроводников

В. В. Каминский, Н. В. Шаренкова

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (117 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47091.8893
Аннотация: Показано, что уникальные особенности физических свойств редкоземельных полупроводниковых соединений имеют в своей основе малые величины ионизационных потенциалов редкоземельных элементов в них. Причиной этого является наличие 4$f$-оболочек в электронной структуре элементов.
Поступила в редакцию: 17.04.2018
Исправленный вариант: 21.08.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 2, Pages 150–152
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261902012X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. В. Каминский, Н. В. Шаренкова, “Особенности свойств редкоземельных полупроводников”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 158–160; Semiconductors, 53:2 (2019), 150–152
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KamSha19}
\by В.~В.~Каминский, Н.~В.~Шаренкова
\paper Особенности свойств редкоземельных полупроводников
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 158--160
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5579}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.02.47091.8893}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37476739}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 2
\pages 150--152
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261902012X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5579
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i2/p158
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:48
    PDF полного текста:20
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024