Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 12, страницы 1697–1707
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48630.9215 (Mi phts5338) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Применение диодов Шоттки в терагерцовом частотном диапазоне

Н. А. Торховab, Л. И. Бабакb, А. А. Коколовb

a Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск
b Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники
PDF полного текста (916 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48630.9215
Аннотация: Более широкие возможности оптимизации конструктивных и электрофизических параметров кристаллов диодов Шоттки, выполненных по планарным технологиям “Меза–подложка” и “Меза–Меза” с анодными выводами в виде воздушного моста с вискером одновременно с использованием более совершенных компактных моделей, позволяют максимально эффективно использовать физические возможности контактов Шоттки при проектировании монолитных интегральных схем по диодным технологиям, повысить их надежность и преодолеть значительное отставание полупроводниковой электроники от оптоэлектроники в терагерцовом частотном диапазоне.
Ключевые слова: СВЧ, КВЧ, ТГц, компактная модель, планарный диод Шоттки, вискер, воздушный мост.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 8.4029.2017/4.6
Работа выполнялась при финансовой поддержке Министерства образования и науки РФ. Уникальный идентификатор 8.4029.2017/4.6.
Поступила в редакцию: 15.07.2019
Исправленный вариант: 22.07.2019
Принята в печать: 22.07.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 12, Pages 1688–1698
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619160280
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Торхов, Л. И. Бабак, А. А. Коколов, “Применение диодов Шоттки в терагерцовом частотном диапазоне”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019), 1697–1707; Semiconductors, 53:12 (2019), 1688–1698
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TorBabKok19}
\by Н.~А.~Торхов, Л.~И.~Бабак, А.~А.~Коколов
\paper Применение диодов Шоттки в терагерцовом частотном диапазоне
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1697--1707
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5338}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.12.48630.9215}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41848201}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 12
\pages 1688--1698
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619160280}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5338
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i12/p1697
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    1. K. V. Bilinskiy, G. E. Kuleshov, K. V. Dorozhkin, A. V. Badin, A. V. Sbrodov, A. V. Alexandrov, D. A. Pidotova, V. D. Moskalenko, “Development and Research of W-Band Multiplier Based on Schottky Barrier Diodes with Pt/Ir Contacts”, Russ Phys J, 67:6 (2024), 821  crossref
    2. Hasan Efeoǧlu, Abdulmecit Turut, Melik Gül, “An experimental study: Dependence of Schottky diode parameters on Schottky contact area size”, Optical Materials, 142 (2023), 114038  crossref
    3. Nikolay Torkhov, Valeriy Vertegel, Mikhail Tkachenko, Aleksandr Manko, “Optimization of the Planar Schottky Diode Structure in THz Range”, Infocommunications and Radio Technologies, 6:2 (2023), 194  crossref
    4. Ao Zhang, Jianjun Gao, “Semi-Analytical Method for Determination of Air Bridge Interconnect for GaAs-Based p-i-n Diode”, IEEE Trans. Electron Devices, 69:9 (2022), 4848  crossref
    5. Yaxin Zhang, Kesen Ding, Hongxin Zeng, Wei Kou, Tianchi Zhou, Hongji Zhou, Sen Gong, Ting Zhang, Lan Wang, Shixiong Liang, Feng Lan, Yazhou Dong, Zhihong Feng, Yubin Gong, Ziqiang Yang, Daniel M. Mittleman, “Ultrafast modulation of terahertz waves using on-chip dual-layer near-field coupling”, Optica, 9:11 (2022), 1268  crossref
    6. Gintaras Valušis, Alvydas Lisauskas, Hui Yuan, Wojciech Knap, Hartmut G. Roskos, “Roadmap of Terahertz Imaging 2021”, Sensors, 21:12 (2021), 4092  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:93
    PDF полного текста:43
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025