Loading [MathJax]/jax/output/SVG/config.js
Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страницы 928–931
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51446.9694 (Mi phts4965) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты

Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (541 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51446.9694
Аннотация: Исследована дислокационная люминесценция в не имплантированных и имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной термообработки, применяемой в микроэлектронике для создания внутреннего геттера, и заключительного отжига при 1000$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере. В не имплантированном образце доминирует линия дислокационной люминесценции D1, а ее интенсивность больше чем на порядок по сравнению с другой линией дислокационной люминесценции D2. С ростом температуры интенсивность D1 линии увеличивается, а затем уменьшается. В имплантированном образце интенсивности D1 и D2 линий увеличиваются. Для обеих линий наблюдается только температурное гашение их интенсивностей. Определены энергии гашения и возгорания интенсивностей линий дислокационной фотолюминесценции. Обсуждаются возможные причины наблюдавшихся эффектов.
Ключевые слова: дислокационная люминесценция, кремний, ионная имплантация, кислородные преципитаты.
Поступила в редакцию: 03.06.2021
Исправленный вариант: 08.06.2021
Принята в печать: 08.06.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 891–894
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100237
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, “Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 928–931; Semiconductors, 55:12 (2021), 891–894
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobKalSht21}
\by Н.~А.~Соболев, А.~Е.~Калядин, К.~Ф.~Штельмах, Е.~И.~Шек
\paper Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 928--931
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4965}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.10.51446.9694}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46486071}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 891--894
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100237}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4965
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p928
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    1. G. Kh. Allayarova, B. E. Umirzakov, A. K. Tashatov, “Effect of ${\text{O}}_{2}^{ + }$ Ion Implantation on the Elemental and Chemical Composition of the Si(111) Surface”, J. Surf. Investig., 18:3 (2024), 598  crossref
    2. G. Kh. Allayarova, B. E. Umirzakov, A. K. Tashatov, “Effect of О<sub>2</sub><sup>+</sup> Ion Implantation on the Elemental and Chemical Composition of the Si(111) Surface”, Poverhnostʹ. Rentgenovskie, sinhrotronnye i nejtronnye issledovaniâ, 2024, № 5, 78  crossref
    3. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskiy, E. I. Shek, “Temperature Dependence of Dislocation-Related Electroluminescence in Silicon Light-Emitting Diodes Containing Oxygen Precipitates”, Semiconductors, 57:3 (2023), 172  crossref
    4. N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskiy, E. I. Shek, “Silicon Light-Emitting Diodes with Dislocation-Related Luminescence Fabricated with Participation of Oxygen Precipitates”, Semiconductors, 57:7 (2023), 343  crossref
    5. S. G. Cherkova, V. A. Volodin, V. A. Skuratov, M. Stoffel, H. Rinnert, M. Vergnat, “IR Photoluminescence of Silicon Irradiated with High-Energy Xe Ions after Annealing”, Optoelectron.Instrument.Proc., 58:6 (2022), 633  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:68
    PDF полного текста:27
     
      Обратная связь:
    math-net2025_03@mi-ras.ru     		 Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025