|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Спектроскопия, взаимодействие с излучениями
Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Исследована дислокационная люминесценция в не имплантированных и имплантированных ионами кислорода пластинах кремния после многостадийной термообработки, применяемой в микроэлектронике для создания внутреннего геттера, и заключительного отжига при 1000$^\circ$C в хлорсодержащей атмосфере. В не имплантированном образце доминирует линия дислокационной люминесценции D1, а ее интенсивность больше чем на порядок по сравнению с другой линией дислокационной люминесценции D2. С ростом температуры интенсивность D1 линии увеличивается, а затем уменьшается. В имплантированном образце интенсивности D1 и D2 линий увеличиваются. Для обеих линий наблюдается только температурное гашение их интенсивностей. Определены энергии гашения и возгорания интенсивностей линий дислокационной фотолюминесценции. Обсуждаются возможные причины наблюдавшихся эффектов.
Ключевые слова:
дислокационная люминесценция, кремний, ионная имплантация, кислородные преципитаты.
Поступила в редакцию: 03.06.2021 Исправленный вариант: 08.06.2021 Принята в печать: 08.06.2021
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, Е. И. Шек, “Влияние дополнительной имплантации ионов кислорода на дислокационную люминесценцию кремния, содержащего кислородные преципитаты”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 928–931; Semiconductors, 55:12 (2021), 891–894
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts4965 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p928
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 15 |
|