Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 10, страница 927 (Mi phts6629)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Электронные свойства полупроводников

Impact of (Pr, Dy) co-doping at Bi site on optical and multiferroic properties of BiFeO$_3$ ceramics prepared by sonochemical method

A. Bismibanuab, Pradeep Reddy Vangacd, M. Alagarbe, Thangaraj Selvalakshmif, I. B. Shameem Banug, M. Ashokd

a Department of Physics, The Standard Fireworks Rajarathnam College for Women, Sivakasi 626123, India
b Center for Research and Post Graduate Studies in Physics, Ayya Nadar Janaki Ammal College, Sivakasi 626123, Tamil Nadu, India
c Department of Physics, Vel Tech Rangarajan Dr. Sagunthala R & D Institute of Science and Technology, Chennai, Tamil Nadu 600062, India
d New Generation Materials Laboratory, Department of Physics, National Institute of Technology, Tiruchirappalli 620015, India
e Post Graduate Department of Physics, Mannar Thirumalai Naicker College, Madurai, 625004, Tamil Nadu, India
f Materials Chemistry and Metal Fuel Cycle Group, Indira Gandhi Centre for Atomic Research, Kalpakkam, Tamil Nadu 603102, India
g Department of Physics, B.S.Abdur Rahman Institute of Science and Technology, Vandalur, Chennai 600 048, Tamil Nadu, India
Аннотация: A series of Pr and Dy were substituted at Bi of BiFeO3 were synthesized by sonochemical method. Keeping Pr at 5%, Dy composition was varied to obtain Bi$_{0.95-x}$Pr$_{0.05}$Dy$_x$FeO$_3$ ($x$ = 0.01, 0.03 and 0.05). The X-ray diffraction pattern and Rietveld refinement analysis reveals the rhombohedral structure for the co-doped BFO samples. The Diffuse Reflectance Spectra (DRS) exhibit bands in ultraviolet and visible region and the energy band gap values are in the range of 1.91 to 2.1 eV and gap increases with Dy increase. Our study shows that Pr and Dy dopants improved the ferroelectric and magnetic properties for low concentration of Dy indicating that they are good multiferroic materials. The excellent ferroelectric loops were recorded at the various electric fields. It was noted that the current leakage and the remnant magnetization is less for 5% Dy indicating that impact of the higher concentration of the Dy dopants. However, the lower content of Dy exhibited good results speculating the possibility of these materials for suitable applications.
Ключевые слова: Sonochemical, X-ray diffraction, Band gap, Ferroelectric, Leakage current density, Ferromagnetic.
Поступила в редакцию: 11.05.2021
Исправленный вариант: 30.06.2021
Принята в печать: 30.06.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 914–921
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621100298
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: A. Bismibanu, Pradeep Reddy Vanga, M. Alagar, Thangaraj Selvalakshmi, I. B. Shameem Banu, M. Ashok, “Impact of (Pr, Dy) co-doping at Bi site on optical and multiferroic properties of BiFeO$_3$ ceramics prepared by sonochemical method”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 927; Semiconductors, 55:12 (2021), 914–921
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BisVanAla21}
\by A.~Bismibanu, Pradeep~Reddy~Vanga, M.~Alagar, Thangaraj~Selvalakshmi, I.~B.~Shameem Banu, M.~Ashok
\paper Impact of (Pr, Dy) co-doping at Bi site on optical and multiferroic properties of BiFeO$_3$ ceramics prepared by sonochemical method
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 10
\pages 927
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6629}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 914--921
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621100298}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6629
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i10/p927
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:38
    PDF полного текста:19
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024