Проблемы физики, математики и техники
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



ПФМТ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Проблемы физики, математики и техники, 2015, выпуск 4(25), страницы 69–73 (Mi pfmt412)  

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

МАТЕМАТИКА

Достаточный признак разрешимой насыщенности формации

С. Ф. Каморников

Международный университет «МИТСО», Гомельский филиал
Список литературы:
Аннотация: Для формации $\mathfrak{F}$ и множества простых чисел $\pi$ исследуется разрешимая насыщенность формации $S_\pi^{\mathfrak{F}}$ всех конечных групп, у которых каждая $\pi$-подгруппа принадлежит $\mathfrak{F}$.
Ключевые слова: конечная группа, $\pi$-подгруппа, формация, разрешимо насыщенная формация, $s$-критическая группа.
Поступила в редакцию: 27.06.2015
Тип публикации: Статья
УДК: 512.542
Образец цитирования: С. Ф. Каморников, “Достаточный признак разрешимой насыщенности формации”, ПФМТ, 2015, № 4(25), 69–73
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{Kam15}
\by С.~Ф.~Каморников
\paper Достаточный признак разрешимой насыщенности формации
\jour ПФМТ
\yr 2015
\issue 4(25)
\pages 69--73
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pfmt412}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pfmt412
  • https://www.mathnet.ru/rus/pfmt/y2015/i4/p69
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Проблемы физики, математики и техники
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:123
    PDF полного текста:56
    Список литературы:63
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024