|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1996 |
| 1. |
В. Г. Мокеров, Ю. В. Федоров, А. В. Гук, Ю. В. Хабаров, “Оптические свойства двумерного электронного газа в гетероструктурах AlGaAs/GaAs”, Докл. РАН, 348:5 (1996), 608–610  |
| 2. |
Ю. В. Гуляев, В. Г. Мокеров, А. В. Гук, Ю. В. Федоров, Ю. В. Хабаров, “Фотолюминесценция трехмерных и двумерных носителей в гетероструктурах
N–AlGaAs/GaAs”, Докл. РАН, 348:1 (1996), 42–44 |
| 3. |
В. И. Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, “Кинетические уравнения послойного эпитаксиального роста”, Докл. РАН, 347:4 (1996), 469–471 |
|
1995 |
| 4. |
В. И. Трофимов, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. Г. Шумянков, “Обобщенная модель кинетики роста на вицинальной поверхности при молекулярно-лучевой эпитаксии”, Докл. РАН, 344:1 (1995), 40–42 |
|
1993 |
| 5. |
В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, И. Н. Котельников, Ю. В. Федоров, “Влияние состояния поверхности GaAs перед осаждением Si на процесс δ-легирования”, Докл. РАН, 332:5 (1993), 575–577 |
|
1992 |
| 6. |
А. С. Игнатьев, В. Э. Каминский, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Г. З. Немцев, С. С. Шмелев, В. С. Шубин, “Влияние спейсер-слоев на вольт-амперную характеристику туннельно-резонансных диодов”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1795–1800 |
| 7. |
И. М. Гродненский, Ю. М. Дикаев, А. С. Руденко, К. В. Старостин, М. Л. Яссен, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, “Множественная полосковая структура с квазиодномерным электронным энергетическим спектром”, Физика и техника полупроводников, 26:9 (1992), 1521–1528 |
| 8. |
И. Н. Котельников, В. А. Кокин, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. А. Ржанов, С. П. Анохина, “Характеристика и особенности проводимости приповерхностных
δ-легированных слоев в GaAs при изменении концентрации двумерных
электронов”, Физика и техника полупроводников, 26:8 (1992), 1462–1470 |
|
1991 |
| 9. |
Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, “Электронная подвижность слоев арсенида галлия, получаемых
молекулярно-лучевой эпитаксией в атмосфере водорода”, Письма в ЖТФ, 17:17 (1991), 25–28  |
|
1990 |
| 10. |
В. И. Поляков, П. И. Перов, М. Г. Ермаков, О. Н. Ермакова, В. Г. Мокеров, Б. К. Медведев, “Фотоэлектрические характеристики многослойных
p+−i−n+-структур
GaAs−AlGaAs с квантовыми ямами”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2017–2023 |
| 11. |
Н. А. Варванин, В. Н. Губанков, И. Н. Котельников, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Н. А. Мордовец, “Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного
электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения”, Физика и техника полупроводников, 24:4 (1990), 635–637 |
| 12. |
Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, А. А. Кальфа, А. Р. Крюков, “Резонансное туннелирование в диодах с двухбарьерной
гетероструктурой”, Письма в ЖТФ, 16:20 (1990), 76–78 |
| 13. |
Б. К. Медведев, В. П. Гаранин, В. Б. Копылов, В. Г. Мокеров, Ю. В. Слепнев, А. Л. Кузнецов, “Новая эпитаксиальная структура
для арсенид-галлиевых приборов
на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 16:11 (1990), 48–52 |
|
1989 |
| 14. |
Н. Б. Брандт, В. А. Кульбачинский, Ю. Е. Лозовик, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, Д. Ю. Родичев, С. М. Чудинов, “Особенности квантового эффекта Холла в гетероструктурах GaAs−Ga1−xAlxAs на переменном токе”, Физика твердого тела, 31:3 (1989), 73–78 |
| 15. |
И. Е. Батов, С. А. Говорков, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, В. И. Тальянский, “О распределении поля в краевых магнитоплазменных колебаниях
в 2D-канале гетероструктуры GaAs−AlGaAs”, ЖТФ, 59:8 (1989), 136–138 |
|
1988 |
| 16. |
Л. А. Галченков, И. М. Гродненский, М. В. Костовецкий, О. Р. Матов, Б. А. Медведев, В. Г. Мокеров, “Резонансный эффект Фарадея в ограниченной двумерной электронной
системе”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1196–1198 |
|
1987 |
| 17. |
Д. В. Галченков, И. М. Гродненский, И. И. Засавицкий, К. В. Старостин, В. Г. Мокеров, “Определение высоты потенциального барьера в гетеропереходах
с двумерным электронным газом”, Физика и техника полупроводников, 21:8 (1987), 1522–1524 |
| 18. |
П. Д. Алтухов, А. А. Бакун, Б. К. Медведев, В. Г. Мокеров, А. А. Рогачев, Г. П. Рубцов, “Двумерная электронно-дырочная система в области гетероперехода
в структурах
GaAs−GaAlAs с модулированным легированием”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 449–455 |
|
1986 |
| 19. |
Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая, А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, C. Е. Пылаев, И. В. Рябинин, В. Д. Ципоруха, “Определение толщины и состава эпитаксиальных слоев в ходе образования
структур
GaAs−Ga1−xAlxAs”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1198–1201 |
|
1984 |
| 20. |
А. С. Игнатьев, В. Г. Мокеров, А. Г. Петрова, В. А. Рыбин, В. В. Сарайкин, “Электронная оже-спектрометрия тонких пленок силицидов платины
на кремнии”, ЖТФ, 54:6 (1984), 1212–1214 |
|
1982 |
| 21. |
Ю. В. Копаев, В. Г. Мокеров, “Механизм фазовых переходов в окислах ванадия и титана”, Докл. АН СССР, 264:6 (1982), 1370–1374 |
|
1981 |
| 22. |
Л. П. Агейкина, В. Н. Гаврилов, В. В. Капаев, В. Г. Мокеров, И. В. Рябинин, А. А. Частов, “Регистрация параметров импульсного излучения с использованием фазового перехода полупроводник – металл в двуокиси ванадия”, Квантовая электроника, 8:6 (1981), 1363–1366 [L. P. Ageǐkina, V. N. Gavrilov, V. V. Kapaev, V. G. Mokerov, I. V. Ryabinin, A. A. Chastov, “Determination of the parameters of pulsed radiation using semiconductor–metal phase transitions in vanadium dioxide”, Sov J Quantum Electron, 11:6 (1981), 822–824 ] |
|
1978 |
| 23. |
К. И. Земсков, М. А. Казарян, В. Г. Мокеров, Г. Г. Петраш, А. Г. Петрова, “Когерентные свойства лазера на парах меди и динамические голограммы на пленках двуокиси ванадия”, Квантовая электроника, 5:2 (1978), 425–428 [K. I. Zemskov, M. A. Kazaryan, V. G. Mokerov, G. G. Petrash, A. G. Petrova, “Coherent properties of a copper vapor laser and dynamic holograms in vanadium dioxide films”, Sov J Quantum Electron, 8:2 (1978), 245–247] |
6
|
|
Обратная связь: