|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1981 |
| 1. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, Ю. М. Попов, В. Э. Шубин, “Регистрация света с помощью МДП-структуры, работающей в режиме лавинного умножения”, Квантовая электроника, 8:4 (1981), 785–792  [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, Yu. M. Popov, V. È. Shubin, “Detection of light with an MIS structure operating under avalanche multiplication conditions”, Sov J Quantum Electron, 11:4 (1981), 473–477  ] |
5
|
| 2. |
Н. Г. Басов, А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл – диэлектрик – полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники”, УФН, 134:4 (1981), 748–750 ; N. G. Basov, A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors”, Phys. Usp., 24:8 (1981), 728–729 |
|
1978 |
| 3. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “Линейка лавинных МДП-фотоприемников”, Квантовая электроника, 5:11 (1978), 2482–2484 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “A linear array of avalanche MIS photodetectors”, Sov J Quantum Electron, 8:11 (1978), 1399–1400] |
3
|
| 4. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Э. Шубин, “О возможности создания импульсного лавинного фотоприемника с устойчивым внутренним усилением
на основе МДП-структуры”, Квантовая электроника, 5:9 (1978), 1918–1923 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. È. Shubin, “Feasibility of construction of a pulsed avalanche photodetector based on an MIS structure with stable internal amplification”, Sov J Quantum Electron, 8:9 (1978), 1086–1089] |
6
|
|
1974 |
| 5. |
А. Б. Кравченко, А. Ф. Плотников, В. Н. Селезнев, Д. Н. Токарчук, В. Э. Шубин, “Исследование разрешающей способности структур металл – нитрид – окисел – полупроводник при записи и считывании оптической информации”, Квантовая электроника, 1:10 (1974), 2291–2293 [A. B. Kravchenko, A. F. Plotnikov, V. N. Seleznev, D. N. Tokarchuk, V. È. Shubin, “Investigation of the resolution of metal-nitride-oxide-semiconductor structures in recording and reading of optical information”, Sov J Quantum Electron, 4:10 (1975), 1279–1280] |
|
Обратная связь: