Радауцан, Сергей Иванович.
Исследование некоторых твёрдых растворов полупроводников на основе арсенида индия : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 01.00.00. - Ленинград, 1958. - 137 с.
Радауцан, Сергей Иванович.
Исследование дефектных алмазоподобных полупроводников : дис. ... докт. техн. наук : 05.00.00. - Кишинёв, 1966. - 393 с.
Основные публикации:
Теллурид цинка / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан ; АН МССР. - Кишинёв : Штиинца, 1972. - 204 с.
Сульфохромит кадмия / К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван. - Кишинёв : Штиинца, 1981. - 126 с.
Магнитные полупроводники на основе селенхромита меди / В. В. Цуркан, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван ; отв. ред. С. Д. Шутов. - Кишинёв : Штиинца, 1984. - 118 с.
В. Э. Тэзлэван, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев, “Коэффициенты самодиффузии серы в монокристаллах In$_{2}$S$_{3}$, CdIn$_{2}$S$_{4}$ и AgIn$_{5}$S$_{8}$”, Физика твердого тела, 34:6 (1992), 1959–1960
2.
Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, В. В. Чалдышев, В. А. Чумак, Ю. В. Шмарцев, “Изовалентное легирование фосфида индия галлием и мышьяком в процессе
жидкофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1737–1741
1991
3.
Н. А. Молдовян, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов
ZnAl$_{2(1-x)}$Ga$_{2x}$S$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 2038–2039
1990
4.
И. А. Дамаскин, Вал. П. Зенченко, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. Е. Тэзлэван, В. Н. Фулга, “Спектры КРС соединения $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ с различным упорядочением катионной подрешетки”, Докл. АН СССР, 315:6 (1990), 1365–1367
5.
В. Л. Августимов, Д. И. Биднык, С. П. Костенко, О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, А. К. Школьный, “Изменения ближнего порядка в поверхностных слоях $\mathrm{Hg}_x\mathrm{Cd}_{1-x}\mathrm{Te}$ при имплантации ионов $\mathrm{He}^{2+}$”, Докл. АН СССР, 313:2 (1990), 330–333
6.
В. А. Будяну, И. А. Дамаскин, В. П. Зенченко, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, А. А. Суслов, В. Е. Тэзлэван, “Процессы долговременного упорядочения в кристаллах с частично обращенной шпинельной структурой”, Докл. АН СССР, 311:4 (1990), 874–877
7.
С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, С. Б. Хачатурова, Г. И. Стратан, Л. Г. Пеев, “Влияние нарушения стехиометрии состава дифосфида цинка на спектры свободного экситона”, Докл. АН СССР, 311:4 (1990), 866–869
8.
В. Е. Тэзлэван, П. В. Нистирюк, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев, “Зарядовые состояния примесных атомов олова и их влияние на электропроводность In$_{2}$S$_{3}$”, Физика твердого тела, 32:10 (1990), 3157–3159
9.
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, Е. А. Кудрявцева, В. А. Урсу, И. Н. Цыпленков, В. Н. Ламм, В. А. Шераухов, “Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию
эпитаксиальных слоев в $n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2034–2036
10.
С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. Э. Львин, Ф. Г. Доника, “Колебательные спектры кристаллической решетки политипов
соединений Zn$_{m}$In$_{2}$S$_{3+m}$”, Физика и техника полупроводников, 24:9 (1990), 1592–1597
1989
11.
А. В. Биюшкина, Ф. Г. Доника, С. И. Радауцан, “Кристаллическая структура шестипакетного политипа $\mathrm{ZnIn}_2\mathrm{S}_4\mathrm{(VI)_a}$”, Докл. АН СССР, 306:3 (1989), 617–619
12.
С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, Ю. О. Дерид, “Влияние тетрагонального сжатия решетки на излучательные свойства соединений
$\mathrm{A}^\mathrm{II}\mathrm{B}_2^\mathrm{III}\mathrm{C}_4^\mathrm{VI}$”, Докл. АН СССР, 305:2 (1989), 347–350
13.
И. Г. Боцан, В. И. Жеру, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев, В. Е. Тэзлэван, “Зарядовые состояния ионов хрома в халькогенидных шпинельных полупроводниках”, Физика твердого тела, 31:11 (1989), 285–287
14.
С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, С. А. Ребров, С. П. Медвецкий, “Высокочувствительный фотодетектор на основе
InP$-$SiO$_{2}{-}$InAs”, ЖТФ, 59:11 (1989), 195–199
15.
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, Е. А. Кудрявцева, “Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1581–1583
16.
Э. К. Арушанов, Л. Л. Кулюк, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, Т. Д. Шемякова, А. А. Штанов, “Стационарная и разрешенная во времени фотолюминесценция
монокристаллов фосфида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 23:1 (1989), 58–63
17.
С. И. Радауцан, Г. Л. Ляху, А. П. Снигур, В. А. Чумак, В. Г. Лапин, A. M. Маринова, К. Г. Ноздрина, “Полевые транзисторы с барьером Шоттки на гетероструктурах
InGaAs/InP”, Письма в ЖТФ, 15:18 (1989), 30–34
1988
18.
В. А. Губанов, О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев, Г. И. Саливон, В. Е. Тэзлэван, В. И. Цыцану, “Комбинационное рассеяние света в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ и фононные моды в некоторых полупроводниках A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$ со структурой шпинели”, Физика твердого тела, 30:2 (1988), 457–461
1987
19.
С. И. Радауцан, Ю. В. Сухецкий, А. Н. Гусатинский, К. Г. Никифоров, А. В. Солдатов, “Рентгеноспектральное исследование строения энергетических полос $\mathrm{CdCr}_2\mathrm{S}_4$”, Докл. АН СССР, 294:5 (1987), 1102–1105
20.
Э. К. Арушанов, А. В. Лашкул, К. Г. Лисунов, Р. В. Парфеньев, С. И. Радауцан, “Анизотропия отрицательного магнитосопротивления $p$-CdSb”, Физика твердого тела, 29:8 (1987), 2516–2518
21.
К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. Я. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян, “Однородное и неоднородное уширение линии ферромагнитного резонанса, обусловленное проводимостью”, Физика твердого тела, 29:4 (1987), 1279–1282
1986
22.
Н. Н. Сырбу, С. Б. Хачатурова, С. И. Радауцан, “Оптическая анизотропия линий обратной водородоподобной серии в дифосфиде цинка”, Докл. АН СССР, 288:3 (1986), 615–617
23.
Н. Н. Сырбу, С. Б. Хачатурова, С. И. Радауцан, “Оптическая анизотропия линий экситонных серий в дифосфиде цинка”, Докл. АН СССР, 286:2 (1986), 345–347
24.
Э. К. Арушанов, А. В. Лашкул, К. Г. Лисунов, Р. В. Парфеньев, С. И. Радауцан, “Анализ отрицательного магнитосопротивления антимонида кадмия на основе теории квантовых поправок к проводимости”, Физика твердого тела, 28:8 (1986), 2386–2390
25.
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Оптические свойства HgGa$_{2}$Se$_{4}$ вблизи края собственного поглощения”, Физика твердого тела, 28:4 (1986), 1179–1180
26.
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Исправление к статье «Влияние отжига и имплантации ионов селена
на спектры фотопроводимости и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$»”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2131; A. N. Georgobiani, P. N. Metelinskii, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, “Correction to the Paper «Effect of Anealing and Im plantation of Selenium Ions on Photoconduction and Luminescence Spectra of HgGa$_2$Se$_4$»”, Semiconductors, 20:11 (1986), 1332
27.
А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости
и люминесценции
HgGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 20:6 (1986), 1116–1118
1985
28.
К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. Я. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян, “Ферромагнитный резонанс в сильно проводящих кристаллах HgCr$_{2}$Se$_{4}$”, Физика твердого тела, 27:8 (1985), 2424–2427
29.
К. Г. Никифоров, Л. Я. Пасенко, Л. М. Эмирян, А. Г. Гуревич, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван, “Влияние отжига на ферромагнитный резонанс в HgCr$_{2}$Se$_{4}$”, Физика твердого тела, 27:1 (1985), 229–230
30.
С. И. Радауцан, В. И. Морозова, А. Ф. Князев, Л. С. Коваль, Э. К. Арушанов, А. Н. Натепров, “Спектры фотопроводимости монокристаллов фосфида кадмия”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985), 1127–1128
31.
А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, “Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида
индия”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985), 810–813
32.
А. Н. Георгобиани, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Широкозонные полупроводники
A$^{\text{II}}$B$^{\text{III}}_{2}$C$^{\text{VI}}_{4}$: оптические
и фотоэлектрические свойства и перспективы применения (Обзор)”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985), 193–212
1984
33.
С. И. Радауцан, В. П. Бужор, К. Г. Никифоров, В. Трновцева, В. Е. Тэзлэван, “Отрицательное дифференциальное сопротивление и эффект переключения в магнитном полупроводнике $\mathrm{CdCr}_2\mathrm{S}_4$”, Докл. АН СССР, 276:5 (1984), 1110–1113
34.
И. И. Жеру, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Э. Е. Струмбан, В. Е. Тэзлэван, В. И. Цыцану, “Рекомбинационное излучение в монокристаллах CdIn$_{2}$S$_{4}$ : Cr”, Физика и техника полупроводников, 18:9 (1984), 1707–1709
35.
Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Э. Е. Струмбан, В. Э. Тэзлэван, В. И. Цыцану, “Кинетика люминесценции монокристаллов CdIn$_{2}$S$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 534–536
36.
Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, В. Г. Смирнов, Э. Е. Струмбан, “Лазерная генерация в слоях In$_{0.53}$Gd$_{0.47}$As/InP
(${\lambda=1.53}$ мкм)
при оптической накачке”, Письма в ЖТФ, 10:18 (1984), 1099–1102
1983
37.
С. И. Радауцан, Э. К. Арушанов, H. M. Белый, А. А. Губанова, В. И. Пругло, “Комбинационное рассеяние света и симметрия колебательных мод в кристаллах $\mathrm{CdSb}$”, Докл. АН СССР, 272:5 (1983), 1125–1128
38.
В. Б. Бужор, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван, “Статические вольт-амперные характеристики CdCr$_{2}$Se$_{4}\langle$In$\rangle$”, Физика твердого тела, 25:9 (1983), 2778–2780
39.
Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, “Зависимость ширины запрещенной зоны
Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$ от состава”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1202–1204
40.
В. Ф. Житарь, Н. А. Молдовян, С. И. Радауцан, “Фотопроводимость легированных монокристаллов
ZnIn$_{2}$S$_{4}$ после переключения”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1133–1135
41.
Э. К. Арушанов, А. Ф. Князев, К. Г. Лисунов, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, “Подвижность электронов в $n$-Cd$_{3-x}$Zn$_{x}$As$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 17:5 (1983), 885–888
42.
А. Н. Георгобиани, А. В. Микулнок, Е. И. Панасюк, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, “Глубокие центры в не легированных и легированных железом
монокристаллах фосфида индия”, Физика и техника полупроводников, 17:4 (1983), 593–598
1982
43.
Э. К. Арушанов, А. В. Лашкул, Д. В. Машовец, В. И. Пругло, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб, “Осцилляции Шубникова–де Гааза в $n$-$\mathrm{CdSb}$”, Докл. АН СССР, 263:5 (1982), 1112–1115
44.
Э. К. Арушанов, А. В. Лашкул, В. И. Пругло, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб, “Осцилляция Шубникова–де Гааза в $p$-$\mathrm{CdSb}$”, Докл. АН СССР, 263:1 (1982), 71–73
45.
Н. Н. Сырбу, И. Г. Стамов, С. И. Радауцан, “Тонкая структура линий поглощения в кристаллах $\mathrm{ZnP}_2$ моноклинной модификации”, Докл. АН СССР, 262:5 (1982), 1138–1142
46.
Э. К. Арушанов, Л. Л. Кулюк, Л. Н. Лукьянова, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, А. А. Штанов, “Лазерное излучение в твердых растворах Cd<sub>3</sub>(As<sub>x</sub>P<sub>1–x</sub>)<sub>2</sub>”, Квантовая электроника, 9:9 (1982), 1926–1928 [È. K. Arushanov, L. L. Kulyuk, L. N. Luk'yanova, A. N. Nateprov, S. I. Radautsan, A. A. Shtanov, “Lasing of Cd<sub>3</sub>(As<sub>x</sub>P<sub>1–x</sub>)<sub>2</sub> solid solutions”, Sov J Quantum Electron, 12:9 (1982), 1256–1258]
В. Н. Кобзаренко, Е. В. Кучис, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, “Гальваномагнитные свойства тройных фаз системы $\mathrm{ZnS}$–$\mathrm{In}_2\mathrm{S}_3$”, Докл. АН СССР, 254:3 (1980), 608–611
1978
48.
Н. Е. Алексеевский, Н. М. Добровольский, Г. А. Киоссе, Т. И. Малиновский, М. М. Маркус, С. И. Радауцан, Д. П. Самусь, “Строение и свойства монокристаллов $\mathrm{SnMo}_6\mathrm{S}_8$”, Докл. АН СССР, 242:1 (1978), 87–89
49.
К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван, “Влияние донорных примесей на электрические свойства монокристаллов $\mathrm{CdCr}_2\mathrm{S}_4$”, Докл. АН СССР, 239:1 (1978), 77–79
1977
50.
Г. Ф. Мочарнюк, Т. И. Бабюк, О. П. Дерид, Л. С. Лазаренко, М. М. Маркус, С. И. Радауцан, “Переход порядок – беспорядок в твердых растворах
$\mathrm{CdGa}_2\mathrm{Se}_4$ – $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{Se}_4$”, Докл. АН СССР, 237:4 (1977), 821–823
51.
С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, И. Г. Стамов, “Фотоэлектрические свойства гетеропереходов $\mathrm{ZnP}_2(D_4^8)-\mathrm{ZnP}_2(C^5_{2h})$”, Докл. АН СССР, 236:1 (1977), 72–74
52.
С. И. Радауцан, М. А. Бунин, А. Н. Гусатинский, М. А. Блохин, Э. К. Арушанов, А. Н. Натепров, “Рентгеноспектральное исследование электронной структуры $\mathrm{Cd}_3\mathrm{P}_2$”, Докл. АН СССР, 234:3 (1977), 575–577
1976
53.
С. В. Булярский, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван, “Анализ спектров фотолюминесценции $\mathrm{CdIn}_2\mathrm{S}_4$ методом моментов”, Докл. АН СССР, 227:5 (1976), 1082–1085
54.
С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. И. Володина, В. К. Киосев, “Модулированные по длине волны спектры фотоответа барьерных диодов $\mathrm{Au}$ – $\mathrm{Zn}_3\mathrm{P}_2$”, Докл. АН СССР, 227:4 (1976), 830–832
55.
С. И. Радауцан, В. С. Герасименко, Р. Ю. Ляликова, “Исследование влияния структурных изменений на свойства полупроводниковых стекол системы германий – фосфор – селен”, Докл. АН СССР, 226:2 (1976), 308–310
56.
С. И. Радауцан, В. П. Грибковский, А. Е. Цуркан, Л. Г. Зимин, В. И. Верлан, Н. К. Самуйлова, “Эффект просветления кристаллов ZnTe : Li в зеленой области спектра при лазерном возбуждении”, Квантовая электроника, 3:11 (1976), 2465–2467 [S. I. Radautsan, V. P. Gribkovskiǐ, A. E. Tsurkan, L. G. Zimin, V. I. Verlan, N. K. Samuǐlova, “Bleaching of ZnTe:Li crystals by green laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 6:11 (1976), 1347–1348]
1975
57.
С. И. Радауцан, Э. К. Арушанов, Г. П. Чуйко, “Осцилляции Шубникова–де Гааза в арсениде кадмия”, Докл. АН СССР, 222:5 (1975), 1077–1078
1974
58.
С. И. Радауцан, “Исследование сложных полупроводниковых материалов в Молдавской ССР”, УФН, 113:2 (1974), 337–340; S. I. Radautsan, “Investigation of compound semiconductive materials in the Moldavian SSR”, Phys. Usp., 17:3 (1974), 448–450
Обратная связь: