|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1991 |
| 1. |
Г. М. Гусаков, Т. Н. Кондратова, М. С. Минаждинов, А. И. Ларюшин, “О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном
лазерном облученииB”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991), 369–372  |
| 2. |
Д. О. Барсуков, Г. М. Гусаков, А. И. Фролов, “Рост периодических структур на поверхности германия при воздействии импульсного лазерного излучения”, Квантовая электроника, 18:12 (1991), 1477–1480 [D. O. Barsukov, G. M. Gusakov, A. I. Frolov, “Growth of periodic structures on the surface of germanium subjected to pulsed laser radiation”, Sov J Quantum Electron, 21:12 (1991), 1363–1365  ] |
|
1990 |
| 3. |
Г. М. Гусаков, А. И. Фролов, “Низкотемпературная динамика коэффициента отражения полупроводников
в условиях наносекундного лазерного облучения”, ЖТФ, 60:9 (1990), 136–138 |
|
1989 |
| 4. |
Г. М. Гусаков, Т. Н. Кодратова, К. С. Капский, А. И. Ларюшин, “Влияние импульсного лазерного облучения на профиль подвижности
и проводимости эпитаксиальных слоев GaAs”, Физика и техника полупроводников, 23:10 (1989), 1864–1868 |
|
1987 |
| 5. |
Г. М. Гусаков, А. А. Комарницкий, “Влияние многократного импульсного лазерного облучения на морфологию поверхности германия”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 170–174 |
| 6. |
Г. М. Гусаков, А. А. Комарницкий, “Аномальное поведение оптических параметров кремния при импульсном лазерном нагреве”, Письма в ЖТФ, 13:3 (1987), 166–170 |
|
1986 |
| 7. |
Г. М. Гусаков, А. А. Комарницкий, С. С. Саркисян, “Измерение комплексного показателя преломления кремния в процессе импульсного лазерного отжига”, Письма в ЖТФ, 12:3 (1986), 175–179 |
|
1985 |
| 8. |
В. Д. Вернер, Г. М. Гусаков, С. С. Саркисян, А. А. Комарницкий, “Низкочастотная стабильность лазера на АИГ:Nd<sup>3+</sup>”, Квантовая электроника, 12:7 (1985), 1548–1550 [V. D. Verner, G. M. Gusakov, S. S. Sarkisyan, A. A. Komarnitskiǐ, “Low-frequency stability of a YAG:Nd<sup>3+</sup> laser”, Sov J Quantum Electron, 15:7 (1985), 1024–1026 ] |
|
Обратная связь: