|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1987 |
1. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, Н. В. Власенко, В. Н. Лозовский, В. П. Попов, И. И. Усвят, “Варизонная гетероструктура на основе $Al_xOa_{1-x}As$ для лазера с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 14:9 (1987), 1809–1811 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, N. V. Vlasenko, V. N. Lozovskiǐ, V. P. Popov, I. I. Usvyat, “Variable-gap $Al_xGa_{1-x}As$ heterostructure for an electron-beam-pumped laser”, Sov J Quantum Electron, 17:9 (1987), 1155–1156 ] |
|
1984 |
2. |
О. В. Богданкевич, Н. А. Борисов, Д. В. Галченков, И. И. Усвят, О. В. Чернышева, “Влияние глубоких примесных уровней на пороговые характеристики лазеров на основе
$n$-Ga$_{1-x}$Al$_x$As с накачкой электронным пучком”, Квантовая электроника, 11:4 (1984), 833–835 [O. V. Bogdankevich, N. A. Borisov, D. V. Galchenkov, I. I. Usvyat, O. V. Chernysheva, “Influence of deep impurity levels on the threshold characteristics of
electronbeam-pumped lasers made of $n-Ga_{1-x}Al_xAs$”, Sov J Quantum Electron, 14:4 (1984), 563–565 ] |
|