|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1988 |
| 1. |
Д. Врук, А. Кнауэр, “Неоднородности легирования и поведение компенсации легирования в GaAs и InP n-типа”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2301–2303  [D. Wruck, A. Knauer, “Doping inhomogeneities and behavior of compensation of n-type GaAs and InP”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1438–1440  ] |
| 2. |
А. Кнауэр, 3. Грамлих, Р. Штаске, “Зависимость интенсивности фотолюминесценции от качества подготовки поверхности и свойств InP n-типа”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2276–2279 [A. Knauer, S. Gramlich, R. Staske, “Dependence of the photoluminescence density on surface preparation and properties of n-type InP”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1424–1426 ] |
| 3. |
А. Бервольф, П. Эндерс, А. Кнауэр, Д. Линке, У. Цаймер, “Расчет выхода лазерных диодов по характеристикам материала подложки (100) InP, используемого для эпитаксиального выращивания ДГС”, Квантовая электроника, 15:11 (1988), 2273–2275 [A. Baerwolff, P. Ènders, A. Knauer, D. Linke, U. Zeimer, “Calculation of the yield of fault-free laser diodes from the characteristics of the (100)InP substrate material used in epitaxial double heterostructures”, Sov J Quantum Electron, 18:11 (1988), 1422–1424 ] |
|
Обратная связь: