|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
Р. А. Жачук, Б. З. Ольшанецкий, Ж. Кутиньо, “Природа контраста в слоях Ge/Si(111) в сканирующей туннельной микроскопии
в присутствии сурфактантов Bi и Sb”, Письма в ЖЭТФ, 95:5 (2012), 283–289   ; R. A. Zhachuk, B. Z. Olshanetsky, J. Coutinho, “Nature of contrast in Ge/Si(111) layers in scanning tunneling microscopy in the presence of Bi and Sb surfactants”, JETP Letters, 95:5 (2012), 259–265   |
|
2011 |
| 2. |
К. Н. Романюк, А. А. Шкляев, Б. З. Ольшанецкий, А. В. Латышев, “Формирование кластеров Ge на поверхности Si(111)–Bi–$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 93:11 (2011), 740–745 ; K. N. Romanyuk, A. A. Shklyaev, B. Z. Olshanetsky, A. V. Latyshev, “Formation of Ge clusters at a Si(111)-Bi-$\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ surface”, JETP Letters, 93:11 (2011), 661–666 |
3
|
|
2004 |
| 3. |
Р. А. Жачук, C. А. Тийс, Б. З. Ольшанецкий, “Формирование наноточек и нанопроволок серебра на поверхности Si(557)”, Письма в ЖЭТФ, 79:8 (2004), 467–469 ; R. A. Zhachuk, S. A. Teys, B. Z. Olshanetskii, “Formation of silver nanodots and nanowires on a Si(557) surface”, JETP Letters, 79:8 (2004), 381–382 |
15
|
|
1986 |
| 4. |
Ю. Б. Болховитянов, Р. И. Болховитянова, Ю. Д. Ваулин, Б. З. Ольшанецкий, “О природе разделительного слоя AlGaAs на поверхности GaAs при ее
изотермическом контакте с жидкой фазой
Al$-$Ga$-$As”, ЖТФ, 56:3 (1986), 601–603 |
|
Обратная связь: