|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2000 |
| 1. |
Э. М. Мамедли, Н. А. Соболев, “Метод обеспечения отказоустойчивости в резервированных управляющих вычислительных системах”, Автомат. и телемех., 2000, № 2, 172–182   ; È. M. Mamedli, N. A. Sobolev, “A method of ensuring fault tolerance in redundant computer control systems”, Autom. Remote Control, 61:2 (2000), 337–347 |
1
|
|
1995 |
| 2. |
Э. М. Мамедли, Н. А. Соболев, “Механизмы операционных систем, обеспечивающие отказоустойчивость в управляющих многомашинных вычислительных системах”, Автомат. и телемех., 1995, № 8, 3–63 ; È. M. Mamedli, N. A. Sobolev, “Mechanisms of operating systems supporting fault-tolerance of multicomputer control systems”, Autom. Remote Control, 56:8 (1995), 1065–1105 |
2
|
|
1992 |
| 3. |
Э. М. Мамедли, Р. Я. Самедов, Н. А. Соболев, “Метод локализации “дружественных” и “враждебных” неисправностей”, Автомат. и телемех., 1992, № 5, 126–138 ; È. M. Mamedli, R. Ya. Samedov, N. A. Sobolev, “A method for localization of byzantine and nonbyzantine faults”, Autom. Remote Control, 53:5 (1992), 734–744 |
2
|
| 4. |
Н. А. Соболев, А. И. Курбаков, Р. Н. Кютт, Э. Э. Рубинова, А. Е. Соколов, Е. И. Шек, “Исследование кремния методами диффузного рассеяния гамма и рентгеновских лучей”, Физика твердого тела, 34:8 (1992), 2548–2554  |
| 5. |
Ю. В. Выжигин, Н. А. Соболев, Б. Н. Грессеров, Е. И. Шек, “Влияние неравновесных собственных точечных дефектов на образование
электрически активных центров в кремниевых $p{-}n$-структурах при
термообработке”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 1938–1944 |
|
1991 |
| 6. |
Ю. В. Выжигин, Н. А. Соболев, Б. Н. Грессеров, Е. И. Шек, “Влияние атмосферы термообработки на образование центров с глубокими
уровнями”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1324–1331 |
| 7. |
Б. Н. Грессеров, Н. А. Соболев, Ю. В. Выжигин, В. В. Елисеев, В. М. Ликунова, “Влияние атмосферы термообработки на диффузию алюминия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 807–812 |
|
1990 |
| 8. |
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, Е. А. Кудрявцева, В. А. Урсу, И. Н. Цыпленков, В. Н. Ламм, В. А. Шераухов, “Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию
эпитаксиальных слоев в $n$-InP”, Физика и техника полупроводников, 24:11 (1990), 2034–2036 |
| 9. |
Н. Ю. Арутюнов, Н. А. Соболев, В. Ю. Тращаков, Е. И. Шек, “Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе
термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1785–1789 |
|
1989 |
| 10. |
А. Ф. Вильянов, Ю. В. Выжигин, Б. Н. Грессеров, В. В. Елисеев, В. М. Ликунова, С. А. Максутова, Н. А. Соболев, “Высоковольтные лавинные диодные структуры большой площади”, ЖТФ, 59:10 (1989), 154–156 |
| 11. |
И. А. Аксенов, Б. В. Корзун, Л. А. Маковецкая, Н. А. Соболев, С. П. Жуков, “Энергетические уровни в CuInS$_{2}$, связанные с собственными
дефектами”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1696–1699 |
| 12. |
Ф. П. Коршунов, С. И. Радауцан, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки, Е. А. Кудрявцева, “Краевая фотолюминесценция кристаллов $n$-InP, облученных электронами
с энергией ${3.5\div4}$ МэВ”, Физика и техника полупроводников, 23:9 (1989), 1581–1583 |
| 13. |
А. В. Воеводова, Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, А. А. Стук, “О влиянии ядерного легирования на радиационное дефектообразование
в $\text{Si}\langle\text{Ge}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1173–1176 |
| 14. |
Ю. В. Выжигин, Я. Земан, В. А. Костылев, Н. А. Соболев, В. Шмид, “Уровни дефектов термообработки в кремнии под гидростатическим
давлением”, Физика и техника полупроводников, 23:4 (1989), 719–722 |
|
1988 |
| 15. |
Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, Н. Г. Колин, Е. А. Кудрявцева, Т. А. Прохоренко, “Импульсный отжиг ядерно легированного арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1850–1852 |
| 16. |
Ю. В. Выжигин, Б. Н. Грессеров, Н. А. Соболев, “Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 22:3 (1988), 536–538 |
| 17. |
А. И. Курбаков, Э. Э. Рубинова, Н. А. Соболев, А. А. Стук, И. Н. Трапезникова, В. А. Трунов, Е. И. Шек, “Генерация решеточных дефектов
при термообработке кремния
в хлорсодержащей атмосфере”, Письма в ЖТФ, 14:21 (1988), 1929–1933 |
|
1987 |
| 18. |
Ф. П. Коршунов, Н. А. Соболев, В. А. Шераухов, Т. Н. Гапонюк, В. К. Шешолко, В. В. Грибковский, “Импульсный отжиг ядерно легированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 1968–1973 |
| 19. |
Н. А. Соболев, И. Н. Трапезникова, Л. М. Федоров, “Механизмы протекания тока в структурах
$n$-Si${-}p^{+}$-SiGe”, Физика и техника полупроводников, 21:9 (1987), 1669–1672 |
|
1986 |
| 20. |
Б. С. Кондратьев, Н. А. Соболев, “Временной статистический анализ процессов генерации импульсов в высоковольтных микроплазмах”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986), 133–136 |
|
1985 |
| 21. |
Н. А. Соболев, Е. И. Шек, С. И. Дудавский, А. А. Кравцов, “Подавление свирл-дефектов при термообработке пластин бестигельного
кремния в хлорсодержащей атмосфере”, ЖТФ, 55:7 (1985), 1457–1459 |
|
1984 |
| 22. |
И. Н. Воронов, И. М. Греськов, П. М. Гринштейн, Р. И. Гучетль, М. А. Мороховец, Н. А. Соболев, А. А. Стук, В. А. Харченко, В. Е. Челноков, Е. И. Шек, “Влияние среды отжига на свойства радиационно-легированного кремния
(РЛК)”, Письма в ЖТФ, 10:11 (1984), 645–649 |
|
Обратная связь: