|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
1992 |
| 1. |
Д. Н. Бычковский, Т. П. Воронцова, О. В. Константинов, “Контактный потенциал квантовой ямы в полупроводниковой
гетероструктуре”, Физика и техника полупроводников, 26:12 (1992), 2118–2128  |
| 2. |
Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, “Влияние заряда, встроенного в изотипный гетеропереход,
на вольт-фарадные характеристики барьерной структуры”, Физика и техника полупроводников, 26:5 (1992), 921–926 |
| 3. |
Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, М. М. Панахов, “Методика определения разрыва зон на гетерогранице по измерениям
вольт-фарадных характеристик $m{-}s$-гетероструктуры”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 653–668 |
|
1991 |
| 4. |
Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, М. М. Панахов, “Вольт-фарадная характеристика $m{-}s$-структур с изотипным
гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 25:11 (1991), 1889–1898 |
| 5. |
Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, М. М. Панахов, “Теория «моттовского» плато на вольт-фарадной характеристике
диода Шоттки с гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 25:4 (1991), 660–669 |
|
1990 |
| 6. |
О. В. Константинов, Б. В. Царенков, “Изменение поверхностного потенциала полупроводника
при освещении”, Физика и техника полупроводников, 24:12 (1990), 2126–2131 |
| 7. |
Д. Н. Бычковский, О. В. Константинов, Б. В. Царенков, “Гетеропереход, возникающий на границе скачкообразного изменения
концентрации свободных носителей в однородном по составу полупроводнике”, Физика и техника полупроводников, 24:10 (1990), 1848–1856 |
|
1989 |
| 8. |
В. В. Владимиров, В. Н. Горшков, О. В. Константинов, Н. И. Кускова, “Возбуждение высокочастотных автоколебаний в стримерных полупроводниковых лазерах”, Докл. АН СССР, 305:3 (1989), 586–588 |
| 9. |
О. В. Константинов, Т. В. Львова, М. М. Паханов, “«Моттовское» плато на вольтъемкостной характеристике диода
Шоттки с гетеропереходом”, Физика и техника полупроводников, 23:7 (1989), 1283–1290 |
| 10. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном
гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 508–516 |
|
1988 |
| 11. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном
гетеротранзисторе с тонкой базой”, Физика и техника полупроводников, 22:11 (1988), 2025–2034 |
| 12. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Царенков, “Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988), 129–132 |
|
1987 |
| 13. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, С. И. Трошков, “Длинноволновый край спектральной зависимости фототока
в гетеро-$p{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987), 2142–2148 |
| 14. |
О. А. Мезрин, О. В. Константинов, Н. С. Аверкиев, “Флуктуационные уровни для неосновных носителей в вырожденных
полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:3 (1987), 504–513 |
| 15. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Волна туннельной ионизации в полупроводниковых структурах”, Письма в ЖТФ, 13:8 (1987), 476–481  |
|
1986 |
| 16. |
О. В. Константинов, Б. А. Мамырин, Л. Е. Щебелина, В. Г. Щебелин, “Рассеяние заряженных частиц электростатическими сетчатыми
электродами”, ЖТФ, 56:6 (1986), 1075–1081 |
| 17. |
О. В. Константинов, Л. Е. Щебелина, В. Г. Щебелин, “Электростатическое поле цилиндрической сетки”, ЖТФ, 56:5 (1986), 973–975 |
| 18. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, С. И. Трошков, “Теория фотоэлектрического преобразователя с градиентом запрещенной
зоны в области пространственного заряда гетеро-$p{-}n$-перехода”, Физика и техника полупроводников, 20:7 (1986), 1262–1270 |
|
1985 |
| 19. |
О. В. Константинов, М. А. Якобсон, А. А. Коровин, Г. О. Мюллер, М. де-Диос, “Исследование края поглощения кристаллов CdS, легированных галлием”, Физика твердого тела, 27:11 (1985), 3185–3191 |
| 20. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Рекомбинация через глубокие уровни в гетеро-$p{-}n$-переходах”, Физика и техника полупроводников, 19:12 (1985), 2154–2162 |
| 21. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория инжекции носителей в гетеро-$p{-}n$-структуре”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985), 1991–1999 |
| 22. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Б. В. Егоров, В. М. Лантратов, Т. В. Львова, С. И. Трошков, “Сублинейность вольтфарадных характеристик резких асимметричных
$p{-}n$-переходов”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985), 1589–1596 |
| 23. |
Н. С. Аверкиев, С. Ш. Егембердиева, Б. Н. Калинин, О. В. Константинов, А. А. Рогачев, А. С. Филипченко, “Фотолюминесценция сильно легированных кристаллов антимонида индия $n$-типа”, Письма в ЖТФ, 11:21 (1985), 1326–1330 |
|
1984 |
| 24. |
О. В. Константинов, Л. Е. Щебелина, В. Г. Щебелин, “Теория электростатических систем с многосеточными электродами”, ЖТФ, 54:11 (1984), 2087–2093 |
| 25. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Емкость и распределение электрического поля в резкой асимметричной
$p{-}n$-структуре с инверсионной прослойкой”, Физика и техника полупроводников, 18:12 (1984), 2166–2176 |
| 26. |
А. А. Быковников, О. В. Иванова, О. В. Константинов, Т. В. Львова, О. А. Мезрин, “О кинетике нарастания вентильной фотоэдс барьерной структуры”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1256–1262 |
| 27. |
О. В. Константинов, “Рецензия на книгу У. Харрисона
«Электронная структура и свойства твердых тел. Физика химической связи»”, Физика и техника полупроводников, 18:4 (1984), 761 |
|
1983 |
| 28. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Н. И. Кацавец, Е. И. Леонов, “О механизме релаксации электрического поля в МДП структуре на основе фотопроводящего германата висмута”, Физика твердого тела, 25:12 (1983), 3648–3654 |
| 29. |
О. В. Константинов, Ю. Ф. Романов, А. Ю. Тропченко, И. А. Шмулевич, “Экспериментальное наблюдение эффекта каналирования света в фазовой дифракционной решетке”, Физика твердого тела, 25:4 (1983), 1008–1012 |
| 30. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Теория переходного процесса в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:9 (1983), 1656–1662 |
| 31. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, Ю. В. Шмарцев, “Модуляционные методики определения параметров связанных состояний
в квантовом эффекте Холла”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983), 1217–1224 |
| 32. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Изменение заряда в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник при изменении магнитного потока
в условиях квантового эффекта Холла”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1120–1122 |
| 33. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, А. Я. Шик, “К теории квантового эффекта Холла в структуре
металл–диэлектрик–полупроводник”, Физика и техника полупроводников, 17:6 (1983), 1073–1080 |
| 34. |
О. В. Константинов, О. А. Мезрин, “Влияние последовательного сопротивления диода Шоттки на его
эффективную емкость”, Физика и техника полупроводников, 17:2 (1983), 305–311 |
|
1970 |
| 35. |
Е. Б. Александров, О. В. Константинов, В. И. Перель, “Интерференция атомных состояний”, УФН, 100:3 (1970), 513–514 ; E. B. Aleksandrov, O. V. Konstantinov, V. I. Perel', “Interference of atomic states”, Phys. Usp., 13:2 (1970), 291–292 |
|
1969 |
| 36. |
И. В. Карпова, С. Г. Калашников, О. В. Константинов, В. И. Перель, Г. В. Царенков, “Рекомбинационные волны в компенсированном германии”, УФН, 98:4 (1969), 736–738 ; I. V. Karpova, S. G. Kalashnikov, O. V. Konstantinov, V. I. Perel', G. V. Tasarenkov, “Recombination Waves in Compensated Germanium”, Phys. Usp., 12:4 (1970), 583–585 |
|
|
|
1988 |
| 37. |
О. В. Константинов, “Аскеров Б. M. Электронные явления переноса в полупроводниках. М.: Наука, 1985. 320 с.”, Физика и техника полупроводников, 22:7 (1988), 1334–1335 |
|
Обратная связь: